Al-%2c0.54-Ga-%2c0.46-N%2fGaN超晶格的低压MOCVD生长与其结构特性的研究.pdfVIP

2∞4年B月，瞳 ，H—噩l★■化¨牛■呷■糟_，—喇灌件眷|鼻l■■—障球一．P饥 量蕈九l●?■一—湃—‘学木●* 7_——-’-—-—一 孙钱“+，张纪才1，王建峰12，陈俊1，赵德剐1，王玉田1，杨辉1 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室，北京100083；3．武汉大学物理系，武汉430072) (AFM)、卢瑟福背散射(RBS)等实验测量分析。实验结果表明低压条件下气相中的寄生反应可以得到有效控制。 而且样品表面的均方根粗糙度约为一个单分子层厚度，阱垒之间的界面也很陡直。与GaN衬底相比，超晶格中的c 型位错密度没有增加。 关蝴：GaN A1GaN超晶格TxR哭x射线反射m∞＼鲥曳8哎髓8K 1．引言 高质量的AIGaN／GaN异质外延量子辨结构的生长及其性质是当前的一个科研热点，这不仅因 为该材料体系在紫外波段的探测器、发光器件等方面具有广阔的应用前景【1．21，而且六方晶系的ⅡI 中电子的子带间跃迁(ISBTs)提供了可能，基于该子带问跃迁有望实现光通信波段(～1．551m)【5， 6]的超高速光开关、量子阱红外探测器(QWIP)及其量子级联激光器(QCL)等应用。 这些应用一般都对材料质量有较高的要求，比如异质结的共格生长、界面粗糙度的原予级控制 并且经常通过位错甚至裂纹等方式来释放应变，这一点严重影响了材料的晶体质量和器件的性质 A1组分的AIGaN／GaN异质外延量子阱、超晶格的研究目前还相对较少。本文中利用低压金属有机物 2．实验 作载气。生长时首先采用标准的二步法生长一层约2．8j 下生长r TXRD是在RigakuX-ray A)，a，舱联 He+离子束是用5SDH-2 触模式)上进行的。RBS测量中使用的2．6MeV cm200 分析是在pllihps S-360扫描电子显微镜上进行的。 实验站完成的。SEM分析是在Cambridge 3．结果与讨沦 ‘Correspondingauthor．EIllail：qgun@red．semi．∞-cn ．，酷- 枷4牛8月，^ ，卜卜墨J士■喇—H■—●■泔#、■—‘I件·丰懂—，．，—母木●啦 ，}，I九41●t-ll■■—‘■‘●，术●·议 晶格的I、2、3级卫星蜂，由此求出的周期并考虑对x射线的折射修正，我们也可得到超晶格的周 期为5．6ran，与Ⅺm结果吻合。此外，2级卫星峰相对较弱，有一定的消光，这表明阱垒厚度接近， 该结果与前一致。 的寄生反应，进而影响固相AIGaN中的Al组分。为了尽量减弱寄生反应，我们采取低压的生长条件 来提高固相中Al组分。实验证明这一措施非常有效：RBS随机谱及其拟合结果(如图2)表明在 面TXRD的u／2 为0．24与RBS结果接近。可见低压生长条件下，气相中的寄生反应较弱，固相中的Al组分与气相 中的几乎相等。 尽管超晶格中铝组分很高，但是样品不仅没有出现裂纹，而且表面很平整(如图3)。从AFM 表面形貌像(如图4)还可看到台阶流，其表面均方根粗糙度为0．27rim。而GaIN的一个单分子层的 厚度约为0．26rim[i0]，可见该样品的表面均方根粗糙度接近一个单分子层厚度。同时，x射线反射 率的拟合结果也证明了这一点。 事实上，该样品不仅表面很平整，阱垒之间的界面粗糙度也较小。首先，图1中0级卫星峰与 一1级卫星峰之间的干涉条纹以及图5中1级卫星峰之前的干涉条纹都表明阱垒之间的界面比较陡 直。其次，图i中一1级卫星峰的半高宽(0．120)与0级卫星峰的半高宽(0．IIo)相比没有明显增加， 这也是阱垒之间的界面较为陡直的体现。而且，我们还对图l中的GaN衬底和0级卫星峰的(0002) 的d扫描的半高宽主要反映了c型位错的密度，可见与GaN村底相比，超