ZnO纳米带的电子显微学的研究.pdfVIP

电子显微学报J．ChinEleetrMicrosc．Soe 370 23(4)：370—3702004年 ZnO纳米带的电子显微学研究 李英，马秀良 (中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室，辽宁沈阳110016) 自从1991年lijima发现纳米炭管“’以来，一系如图1a所示，反应产物有大量纳米条带和纳米 列的一维纳米材料(包括纳米线、纳米带、纳米棒等) 棒，宽度范围在50～500nto左右，长度则在几微米到 被相继用不同的方法制备出来。由于它们独特的结 几十微米范围内。图1b为对一根ZnO纳米带进行 构特性和因此而具有的不同于传统二维、三维材料 观察所得的TEM形貌像，图1c为与图1b所对应的 的新颖物理性质，这些一维纳米材料有着很大的基 选区电子衍射和高分辨照片。大量的纳米带沿着 础研究价值和潜在的应用价值，从而受到人们的广 [1120]方向生长，这与以前的报道不同”’“。此外， 泛关注和研究。宽的和直的带隙半导体(如ZnO、我们也观察到沿[O001]方向生长的纳米带(图1d)。 SnO：)在气体感光器件、透明导电的薄膜和电极、太 阳能电池开发等方面都有较广的应用，引发很多研 究小组的兴趣。近几年制备和表征上述半导体一维 与x射线分析结果一致。一般认为一维纳米结构 纳米结构成为一个热点，许多小组陆续制备和研究 主要沿能量较低的晶体学方向生长，众所周知原子 半导体氧化物纳米带和纳米线”。o。本文用热蒸发 的密排方向则为晶体生长所需能量较低的方向。对 法制备了ZnO纳米带，并对其微观结构进行了电子 显微学表征，发现其具有两种不同的择优生长取向。 个原子最密排方向，因此我们观察到纳米带的这两 硫化锌粉末、九水合硝酸铁粉末(质量比1：7)个生长方向。但具体在什么情况下那种方向的生长 混合物置于刚玉坩埚内，而后放人管式真空炉内。 更占优势，可能和实际的反应条件有关，有待进一步 在密封炉管后对系统抽真空，利用95％氩气和5％ 研究。 参考文献： 氢气作为保护气，气体流速为50cm3／min，通过一个 [1】lijimaS．Nature，1991，354：56． 机械泵抽气维持炉管内气压在4×lOPa。在1400℃ Z Z Z 时保温约12h而后冷却到室温。在炉管壁上靠近出 E2]PanW，DaiR，Wang S J L，XieZ NB，LeeCS，LeeT． 气1：3一侧可得灰白色棉花状产物。x射线衍射和能 [3]HuQ，MaX Y，Won8 Chem Lett。2001，344：97． Phys 谱(EDS)分析显示产物为纤锌矿结构的ZnO，没有发 Hu x N Z N [4] JQ，MaL，ShangG，ShagY，Xie ZY，Wong XL 30FEG扫描电子 现其它杂质。我们利用Philips