AlN-SiC固溶体陶瓷微波衰减性能地研究.pdfVIP

AIN-SiC固溶体陶瓷微波衰碱性能的研究 步文博，李晓云，徐洁，丘泰 (南京工业大学材料科学与工程学院，南京210009) 摘要：奉研究姑奢AJN-SiC=无系相图．从燕力 学角度分析了AIN-SiC固溶体均质与局部固溶的相 2实验过程 互转变．提出了利用田溶捧技术实现AJN-SiC微波 衰减材料性能优化的研究思路：以AJN-SiC复合超 本研究采用的原料为自制的商活性A1N-SiC复 知粉为原料，采用热压烧蛄工艺，通过合理的烧蛄 合超细粉(制备工艺及粉末特征见文献”)．SiC含 温度及保温时阃的控制，制备了性能优异的AIN．SiC 量约为50％；添加适量的复台烧坫助卉!| 微波衰减材料，井研究了A1N．SiC周溶体的擞观组(Y203+A120，)。以无水乙醇为研磨介质t在高能星 分对算微波衰减性托的彩响． 型眯磨机上研唐10h，烘干后，过60目筛．装入石 美键词：AIN：信i0微波衰减 墨模具．置于热压炉中．在19．50℃、l～3h。氮气氛 一＼ 中，热压制备了A1N-SiC同溶体陶瓷． 用CuKa 1引言 X射线衍射铡试技术对材料进行物相 分析，360B型网络分析仪测试了材料的徽敞衰减性 碳化硅(SiC：)由于其独特的物理性质和电子学能。 特性·被认为是制作高温、高频、丈功率和抗辐射 器件极具描力的宽带隙(、；i，Bs)半导体材料”1．它 3结果与讨论 可与多种基质材料相复合，制成具有优异的屯、磁 学性能的先进复合材料．在微电子技术领域中有着 3．1 AIN-SiC=元系统相田分析 广泛的斑用前景。 研究表明161：AIN、sic均具有强共价健结合属 70年代末．Curler等人研究发现A1N与SiC之性．具有扳低的原子迁移率一即使提高的制备温度 间有着极好的晶化相容性，=者在一定条件下能形 也难以形成均质同溶体．但由于二者在原子尺寸、 成完全固溶体Igl；随着固溶体的形成．材料的烧结活 分子量、密度以及晶体结构上具有相似性(见表1)， 性、显徼结构、力学性能、功能特性及抗氧化性均 结台A1N-SiC=元系坑相图吩析可知(如图1)：～ 得到较丈程度的改善和提高。以前的研究多集中于 定条件下．=者可以形成单相均质固港体(圈中H代 表六方相．C代表立方相)·由于固溶体的形成对材 机械混台j去制备AIN-SiC同溶体．这种传统的工艺 料的某些性能(如电、礁学性能等)有一定的影响 方法由于自身的缺陷和局限性，形成AIN-SiC固溶 作用·因此·深入分析AIN、SiC二元系统相圈．对 体的条件极其苛刻；而采用原位化学反应合成工艺 利用嗣藩体技求实现材辩性能的优化有一定的实际 9I，由于在AIN-SiC复合粉末制备中易于实现精确 意义． 的微区化学配比．园此有利于AIN、SiC在原子级水 寰l SiC与AIN性能对比 平上的复合、均化一可望改善A1N．SiC蜀溶体苛刻 SiC 的制备工艺· hh妇证I＆Pro∞rtiea