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第3l卷增刊1 稀有金属材料与工程 Vot I
3LSupp
2002年9月 RAREMETAL
MATERIALSANDENG玎qEERING 2002
September
Y5P型表面半导体陶瓷电容器的研究
钟朝位1，张树人1，李应中2，王婷婷2
(1 电子科技大学，四川成都610054)
(2成都宏明电子科大新材料有限公司，四川成都610058)
83．0％，R，
温度特性，瓷片表面致密，晶粒生长均匀。采用优化了瓷料配方和烧结工艺，可获得C0．249F／cm2，tg
1000MII，△dc(．30℃一+85℃)(±10％，Vb500V的高稳定实用的半导体陶瓷电容器。
关键词：陶瓷电容器； BaTiO”半导供沁表面层，
7
中图法分类号：1M534+．1 文献标识码tA 文章缩号：1002-185X(2002)Sl-0241．04
子元器件公司如村田、TDK，KCK，太阳诱电公司都
1引言
一直在大规模地生产半导体陶瓷电容器，其应用遍及
整个电子行业llj。Ⅲ型半导体陶瓷电容器作为陶瓷电
电容器是使用面最广、用量最大，又是不可替代
容器的一大主要种类，以其特有的技术、性能在电子
的电子元件，其产量约占电子元件的40％。据统计，
应用领域发挥着越来越大的作用，市场需求不断扩
陶瓷电容器用量占各种类型的电容器用量的80％以
大，已经成为陶瓷电容器的主流换代产品之一，这已
上。陶瓷电容器在电路中主要完成耦合、隔直、旁路、
是人所皆知的客观现实。目前表面层半导体陶瓷有
滤波、储能等功能，还可与其它电子元件组合构成振
Y5v，Y5U，Y5P
3种温度系列的基体材料，随着电
荡电路、执行信号发射、接收、处理等任务。按IEC
子设备向小体积、高可靠、高稳定方向发展，YSP型
标准，陶瓷电容器被分为I，II，IU共3大类型。I
半导体陶瓷电容器的市场容量急剧扩展。为满足国内
型陶瓷电容器被称为高频陶瓷电容器，其容量的温度
电子元件厂家生产需求，增强国内元件厂为整机厂提
特性及高频的介质损耗是最主要的性能参数，而介电
供元件的配套能力，摆脱目前受进口瓷片限制的被动
常数则处于较小的范围，通常在12—220之间。II型
局面，作者在成功开发Y5V型表面层电容器的基础
陶瓷电容器则以介质材料的高介电常数为主要特征
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