半导体平面InGaAs%2fGaAS量子阱微腔的光学性质的研究.pdfVIP

432 11塑±士旦垃主星空查墨金鱼盎基 换，上述同态也与eB的乘法交换，因此MqG)．，M(4∞)同构于0 P∈，口H”’(B)4，M印’ (B)的一个子群。Up有detC(B)整除H。。detCp(B)和d(B)“”。定理得证， 中的初等因子全为1。 证明除了可能相差一些R。中的单位外，c(G)在z中初等因子即是其在R，中的初等因 子。由定理3，c(G)在z中的初等因子是n一，数因此它们全在K中，从而即是Staszewski 于【4，2．4】中给出的。 初等因予全为1。 参考文献 140-191 …I F衄wⅢ”Rc舯鬻岫旧mⅥ肌y0fF咖。雌Al删删缸们qcwY州嘣h】hd：No曲-HollandFubllshmI；o棚p埘．1982 12】R(岫l哪GR0n cIl蚍懒af枷畸舯je酣vemodul嚣JJ-andanM虮socl987,36(2)：44-58 f3】黜岫瞰lGR蛳出eb啪。啊科而·Iod喇川咖I啦!17(3)：409-418 【4】鼬嘧^v出兜on胥blocb硝6I岫口雌Q棚札Al咖19ss．13{11)：2369-2405 This outa betweentheCartanmatrix andthatof Abstract ofⅡ-blocks papergives relationship p- the ofthe finite that divisorsCa舳matrixofⅡ-blocks blocksofa elementary in心that group,proves ofthe matrix has in the of舟 Staszcwski out elcmenU|Iy givenin【42．4】arez，and decomposition blocksinZamls． 【作者简介】朱一心，男，1964年5月出生．江苏昆山人，在北京大学获博士学位。研究兴趣：有 限群表示论。 半导体平面InGaAs／GaAS量予阱微腔的光学性质研究 赵建华 陈京好 邓元明 谭平恒 杨富华 郑厚植 (中国科院半导体研究所半导筒晶辖国家重点实验室，北京，iocos3) 摘要 i本文报道了半导体平面InGeAs／GaAs量子阱微腔物理的研究工作。 我们自行设计制备出了品质因数为1000以上的半导体平面 hCcaAs／GaAs量子阱徽腔，观察到了明显的Rabi分裂现象，由角分 辨光致发光谱确定出温度为77时腔极化激元的色散关系，在10一 塾芏堑垄墨丝亟坌盟 433 150K的温度范围内观察了光致发光谱的变化。各项研究结果均达 到国际先进水平。、、 关键词 半导体平面微腔 腔极化激元 RaN分裂 随着薄膜制备技术的迅速发展，人们利用分子束延tMBE)和金属有机化合物气相沉积 (MOCVD)技术可以从一个、二个甚至三个维度方向来限制半导体中电子体系的尺度，制 备出量子阱、量子线和量子点等。半导体结构维度的降低使得其物理性质发生了很大的变 化，表现出许多与大块体材料不同的现象，例如低