低压ZnO压敏薄膜制备和研究.pdfVIP

真空科学与技术学报 第24卷增刊 68 OFVACUUMSCIENCEAND JOURNAL 7Ⅱ’C}玎旧“)G呵(CHINA) 2004年12月 低压ZnO压敏薄膜制备与研究 陆慧。 滕月莉殷海波陆元成潘孝仁 (华东理工大学物理系上海21XP．37) Film andCharacterizationofLow ZnO Varistor Preparation Voltage Lu Yueli，YinHaibo，Lu andPanXiaoren Hui+，Teng Yuancheng 200237，Ch／na) (DepartmentofPhysicsECUST，Shanghai AbstractLow ZnOfilmvaristorwas activereaction andSEM showthat patterns Voltage depositedbygasdisclla增e evaporation．XRD thefdmwith sizeof Binis oriented．Theof OllV-I of 50 c—axis effect average crystal粤缸璐abouthighly annealingtemperature ZnOfilmwasstudiedand mechanismwasalsodiscussed． conducting Low film ZnO Keywordsvoltage varistor，Structure，NonlinearCoefficient，Varistorvoltage 较好的非线性弘州寺性，漏电流小，压敏电压低。温度对薄膜的V-I特性影响较大。文章讨论了ZnO低压压敏薄膜的导电机 理。 关键词 ZnO低压压敏薄膜结构非线性系数压敏电压 中圈分类号：063 文献标识码：A 文章编号：1672—7126(2(IM)增．068-03 氧化锌半导体压敏陶瓷是目前应用广泛、性能 法，在改制的真空镀膜机上进行。以洁净载玻片为 优良、发展迅速的新型多功能材料[1，2l。具有非线基底，纯金属锌粉作蒸发源，在高真空背景下加热基 性系数高、响应快，漏电流小，通流容量大等优点，广 底，通人一定气压值的氧气，并对放电环加负高压， 泛应用于电子设备、电力系统等领域，主要作为半导 在蒸发源与基片之间产生氧气等离子体辉光放电， 体器件的过压保护。随着电子产品的微型化、集成 蒸发的锌被氧化，在基片上沉积出ZnO薄膜。在相 化，工作电压越来越低，对低压压敏电阻的需求量也 同条件下采用二次蒸镀以增加膜厚、改善晶型、提高 越来越大。而通常烧结、划片等制作的压敏电阻器， 稳定性。 由于工艺的限制很难做到较低的压敏电压，因此，研 样品的制备条件为：氧气分压13