InGaAs红外探测器低频噪声探究.pdfVIP

黄扬程 等：InGaAs 红外探测器低频噪声研究 3397 InGaAs 红外探测器低频噪声研究 1 1 2 1 1 1 1 黄杨程 ，梁晋穗 ，张永刚 ，刘大福 ，庄春泉 ，李 萍 ，龚海梅 （1.传感技术国家重点实验室，中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083 ； 2.信息功能材料国家重点实验室，中国科学院上海微系统所，上海 200050 ）1 摘 要：红外探测器的低频噪声是制约器件能否应用 能否应用于空间遥感领域的关键因素之一。国内外对 于空间遥感的关键因素之一。本文测试了典型的铟镓 HgCdTe 光伏探测器的低频噪声研究得较多，但对 砷(InGaAs)红外探测器的低频噪声，测试结果表明器 InGaAs 探测器低频噪声特性的研究很少，国内还没 件的Hooge 系数 -5 -5 有见到这方面的报道。本文的研究目的是对 InGaAs α ＝2 ×10 ~7 ×10 ，噪声拐点较 H 大。讨论了暗电流与器件低频噪声的关系，比较了不 探测器的低频噪声进行测试、分析，为研制能应用于 同钝化工艺研制的器件的低频噪声，结果表明通过加 空间遥感领域的InGaAs 探测器打下基础。 强表面钝化工艺可有效地降低器件的低频噪声。 关键词：红外探测器；低频噪声；空间遥感 2 实 验 中图分类号：TN21.06 文献标识码：A [2] 实验所用InGaAs探测器为PIN结构 。先在低阻n 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊-3397-03 型InP衬底上生长0.5 μm 的InP缓冲层，紧接着生长厚 1 引 言 度为 1.5 μm 的In0.53Ga0.47As光吸收层，吸收层浓度为 5×1015cm-3 ，0.8 μm厚p 型InP窗口层生长在吸收层上 1~2 μm 红外探测技术在空间遥感领域有着十分 面，窗口层掺杂浓度为2×1018 cm-3 。生长好的外延片 重要的应用。由于很多物质在该波段具有独特的光谱 经过光刻、湿法刻蚀、台面钝化、电极制作、划片封 特性，因此在空间对地探测，如了解资源分布、土壤 装等工艺制成器件。 水分监测、大气成分分析、农作物估产等方面，短波 首先对制作好的器件进行电流－电压测试，测试 红外探测器有广泛的应用前景。我国一直以来在短波航 采用微机控制下的Keithley236 型可编程电流－电压 天遥感领域应用的是碲镉汞(HgCdTe)光伏探测器[1] ，但 测试仪完成的。器件的低频噪声测试是在安捷伦公司 由于短波HgCdTe材料的生长难度大，器件成品率较 的动态信号分析仪HP35670A 上进行的，该仪器可以 低，成本较高。随着我国新一代的遥感仪器的发展， 器件的波长越来越短，对性能的要求越来越高，需求 InGaAS 探测器 量也越来越大，因此探索新的材料具有十分重要的意 及屏蔽装置 义。 由于 1~2 μm 红外波段也是光纤通讯的重要窗 低噪声前置放大器 口，而铟