大功率倒装结构GaN+LED+P电极的研究.pdfVIP

2∞4年8月．槌 第十ll士■化¨牛●俸材#、饿戢●件和光电-件学术分诳 ，e，}九—■童一■■濞■‘学术●讧 LED 大功率倒装结构GaN P电极研究 伊晓燕马龙郭金霞王良臣王国宏李晋闽等4 中科院半导体研究所北京100083 攘要：从接触电阻、反射率、电流扩展等方面对Ni／Au／Ag，ITOIAg，Ag等多种倒装结构P电极金属体系进行分析比 的热稳定性问题及Ru，Ir等新型金属体系实现GaNP电极接触的潜在优势。 关键词： 大功守 倒装结构LE唰P电圾’高反射 接触电阻 l、 卜 ，＼ 卜 LED power Pelectrode contactresistance Keywords：highflip-chip n：flectivity high 1．引言 浓度不高，电阻率较大，采用半透明Ni／Au作为电流扩展层，只有当Ni／Au层的厚度超过500，才 可以实现电流的完全扩展；然而Ni／Au层的加厚势必造成对光的吸收。所以对于正装结构LED而言， 需要在电流扩展和透射率两方面加以均衡，必然导致器件的转换效率不高。同时，在正装结构LED 中，由于发光区与热沉之间由蓝宝石衬底隔离，使得散热及提取效率都受到很大程度的限制。为此 以蓝宝石为衬底的GaN基大功率LED可采用倒装结构。 倒装结构LED中，光通过透明的蓝宝石衬底发出，由于蓝宝石(1．75)的折射率与空气折射率 相差较小，不易发生全反射，有利于提高提取效率；P电极采用高反射厚电极，改善了欧姆接触及 电流扩展，使得LED可在大电流密度下工作，且正向电压有所降低。同时发热区更靠近Si—submount 和热沉，提高器件的热传导能力。 2．P电极金属体系分析 在倒装结构LED中，对P电极的要求由正装结构中高透射率转换为高反射率，一般通过两种途 径来实现：高透射率的透明电极+高反射率金属(一般取Ag)；或者选用高反射率的金属同时作欧姆 接触层和反射镜。表1列出了具有代表性的几种P电极金属体系，并对其接触电阻、透射率坂射率、 热稳定性等特性进行了比较。 GaN属于宽带隙材料，尤其是P型GaN很难形成良好的欧姆接触。制约P电极欧姆接触的因 素有两个：一是P-GaN掺杂浓度难以达到空穴可以隧穿肖特基势垒的水平；二缺少功函数比P．Gain 功函数(7．5eV)更高的金属或金属体系。在器件制作过程中，首先对P-GaN激活，即750。CN：氛 围下快速退火使Mg-H键断裂，提高P-Ga．N载流子的浓度。然后通过GaN表面处理及湿法钝化技术 减小表面态的影响，进一步降低金属—半导体接触势垒。综合功函数、表面态及实验结果等多方面因 1所示。 伊晓燕女1978．2 E·mn：spring@red．semi．∞．o 4(按姓氏拼音)白云曩，种明，段俐宏，姜磊，李建平，刘敬伟，马朝华，王立彬，王向明，王晓亮，杨笛，杨辉 张书明，朱家廉，朱建军 一374- 2004ae．8月捕 奢．叶’￡l士■化舌崎牛■喇qI*，—嚏●件和光■J—忡斗—P啦 鼍第九Jll-lt-■■傅—舳术●儡 表1 LED P电极金属体系及特性比较 rr曲le1 LEDPelectrode 金属体系 接触电阻 透射率腹射率 热稳定性 Ni，Au cm2 70％ 4．0．106Q 较差