羰基金属气相沉积方法制备钼钨合金阻抗膜地研究.pdfVIP

羰基金属气相沉积方法制备钼钨合金阻抗膜的研究+ 章娴君，王显祥，张乐亮 (西南师范大学化学化工学院。重庆400715) 摘要：利用壤基奎属气相沉积方法，在A12q陶瓷 基片上，咀Mo(CO)‘和w(cok为潭。制备了具有 2实验过程 赶微粒蛄构的Mo／W．#de9晶虞材料．进材料不仅 有趣模量、赶硬度的优良·睦能。还具有稳定的电子 2．1样品的制鲁 物理特性．研究谊材料的蛄构和形成机制具有十分 试样采用厚度为1．080nsn珥嗷小于0．6pm／mm 重要的意义． 的AIn陶瓷基片．实验在引进俄罗斯的MoiI垄糍 关键词：气相沉积}攘基金量；台金；阻抗膜 基金属气相沉积实验设备中进行．基片经化学去油污 和超声波清洗、烘干后，放于MoII反应室的加热基 1引言 座上，将反应室抽气降压达20Pa．基座加热至500℃ 时，按不同的比倒通入Mo(co),和w(cO)．蒸汽(纯 随着工业领域对功能材料需求的日益增加．利 度为99．9％)．气流量为1．SmL．S一．通气后反应室 的压力恒为150-200pa．反应室夹壁始终通水冷却· 用金属有机气相沉积方法(MOCVD)镧番备类特殊 功能材料和薄膜(如高温超导蔫膜、半导体薄膜、 沉积30min后恒压保温6h．进行热扩敢稳定遇火· 光电膜等)倍受人们重视111．并得到广泛应用·这些 各样品的沉积条件如表1· 膜的制备多以烷基金属化台物为源．其膜的形成机 裹l各样品的气相沉积条件和膜厚度 制和制备方法已有不少文献报导t21·以羰基金属为 羰基蒸汽温度(℃) 基片温度 膜厚度 源。采用冷壁式反应器进行气相沉积研究的不多m· NG 与传统CVD的真空蒸发法-阴极发射浩一等离子法 (．c) Ⅳm Mo(CO)‘W(cok 相比．羰基金属气相沉积皓在较低温度下进行，具 1 50 65 500 2l 有能耗低．工艺较易控制．窖易实施多组元饺层以 2 55 70 500 20 及沉积膜结构稳定等特点．以此法制备的各种功能 3 5， 70 600 膜具有优良的力学和电学性能，是一类具有超微粒 结构的多晶膜材料川．此种材料用于模具表面改性， 2．2试祥的测定 可较大提高其耐磨性和耐腐蚀性．可用于微型无线 用D／MAX--C型全自动X衍射仪扫描}羊品(cu 电路的阻抗膜．用于防止半导体器件的芯片金属化 靶)，以X衍射仪配置的运用软件分折膜组份t见圈 失效的阻挡性能膜、电阻电容元件以及测量技术中 l。 变形和振荡所需的变形传感器的敏感元件材料等· 用a一200型台阶仪潮定膜厚度(探针压力 本文以Mo(co),和w(c咄为物源．采用羰基金 a 7rng)，羽试结果见田2、表1 属气相沉积工艺，通过调节两种气源的气相比倒和 用|SM--35C型电子扫描显徽镜观察各试样膜 沉积工艺来控制Mo／W台盒膜的组成和结构