热释电红外探测器硅微桥制备工艺地研究.pdfVIP

热释电红外探测器硅微桥制备工艺的研究+ 陈实刘梅冬曾亦可姜胜林邓传益孙德宝 (华中科技大学电子科学与技术系 武汉430074) 摘要：结合薄膜热释电红外探测器灵敏元的制备，对硅单晶的各向异性腐蚀工艺及其化学反 应机理进行了深入研究．实验结果表明，四甲基氢氧化铵水溶液(饿^H)是一种适宜的硅单晶各向 异性腐蚀液，其浓度和温度的选择对各向异性腐蚀的腐蚀速率和腐蚀效果有非常大的影响．同时， 在腐蚀液中添加一定量适宜的过硫酸盐(PDS)，可以降低锥状体小丘的密度，使腐蚀速率和腐蚀面 平滑度得到提高．此外，在常用的腐蚀掩膜材料中，低压化学气相沉积(LPCVD)si，N·在腐蚀液中稳 0】次之．本文采用孙H各向异性腐蚀方法成功地制备出显著减小铁电薄膜热释 定性最高，热氧化si 电红外探测器灵敏元热传导和热容量的硅牺牲层． 关键词：热释电：红外探测嚣；硅缀桥；各向异性腐蚀；四甲基氢氧化铵 1 引言 热释电红外探测器是一种利用材料的热释电效应探测红外辐射能量的器件，它能够将外界入射 的红外辐射能量吸收并转变为易于测量的电信号，具有响应速度快、光谱响应宽以及室温工作无须 制冷、易于热成像及性能价格比高等优点，目前已被广泛应用于军事、航空航天等尖端技术领域以 及工业生产过程监控、安全监视、火灾／防盗报警、非接触测温、家电自动控制、车辆／飞机自动驾驶、 环境监测和医疗诊断等民用部门。 典型的薄膜热释电红外探测器灵敏元主要由红外辐射吸收层、热释电薄膜、薄膜上下表面金属 电极、硅基片以及用来提高探测器性能的附加层等几大部分组成。但一个具有较高性能的探测灵敏 元．并不是若干具有一定功能并执行特定任务的膜层的简单叠加。实际上，热释电红外探测器的主 要性能参数，如红外吸收率、电流与电压响应率、噪声等效功率和比探测度等，均与各膜层材料的 选择及探测系统的结构设计密切相关。 作为热释电红外探测器灵敏元的主要组成部分，硅基片与探测器响应率的关系主要表现在它对 探测器内部热传导的影响上Il。】。入射红外辐射被探测器灵敏元吸收后，进一步转化为热能。由于薄 膜探测器灵敏元较薄，当调制频率在一定频段内时，热波的透射深度大于灵敏元上层薄膜的厚度。 此时，热波足以透过上层薄膜进入硅基片，而硅基片由于热导率较大，可以看作一个热汇。有研究 Hz频段，当硅基片厚度为300 表明，在调制频率f=1—100 p．m时，探测器电流响应比硅基片厚度为0 “m和10¨m时的电流响应分别低大约两个数量级和一个数量级14．”。也就是说，在这个对探测器应 用最重要的频段，硅基片吸收热波造成的热损失使探测器性能大幅降低。同时也表明，通过各种途 Hz频段得到很大提高。 径减小热损失，可以使探测器的性能在厂=l～100 目前，采用等离子体、准分子激光和各向异性腐蚀等物理和化学方法刻蚀薄膜热释电红外探测 器灵敏元下的硅基片，从而在探测器灵敏元底部形成微桥(又称牺牲层)，是减小热损失从而提高 探测器性能的主要方法之一Io．”．本文基于薄膜热释电红外探测器灵敏元的制各，对硅单晶的各向异 性化学腐蚀工艺及其化学反应机理进行了深入研究。 2硅微桥的制备 2．1各向异性腐蚀液的选择 硅的各向异性腐蚀技术作为硅微机械加工的一项关键技术，近年来得到了广泛和深入的研究 l“”】。腐蚀方法可大致分为湿法化学腐蚀和电化学腐蚀两种，所用腐蚀液均为碱性溶液，这些溶液 53 能够实现对硅单品精确的各向异性腐蚀，关键在于腐蚀速率随晶面取向的不同而不同。如果在(100) 实际得到的是一个上宽下窄的四棱锥体。如果适当控制窗1：3大小和腐蚀时间，则得到的腐蚀坑为四 棱台。 和EPW腐蚀液由于其毒性和不稳定性，操作比较困难。曾经广泛使用的KOH腐蚀液虽然毒性低且 各向异性腐蚀效果较好，但由于会造成大量的K+离子引，．，与CMOS工艺兼容性不好。而TMAH 腐蚀液则不存在兼容性问题，它无毒、晶向选择性好而且在130℃以下不分解，虽然腐蚀速率稍慢， 但仍是KOH腐蚀液的最佳替代物。 2．2硅单晶的Tlgdt各向异性腐蚀 选择电阻率为12—17f2cm的N型(100)和(111)取向硅基片作为腐蚀样品，以650an3厚熟 氧化Si02、20