离子束合成的钇硅化物结构相变的研究.pdfVIP

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2017-08-16 发布于安徽
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离子束合成的钇硅化物结构相变的研究.pdf

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离子束合成的钇硅化物结构相变研究+ 王文武，姜宁，谢二庆，贺德衍 (兰州大学物理系，兰州 7Ⅻ00D) 摘要：利用离于注入方法在si(111)衬底上制各出钇硅化物，井对其结构相变进行了研究x射线衍射测量表明，在注^过程中己形成了部分六方相Y轧，退火后Ysi：呈现择优取向．从退火过程中原位测量样品的方块电阻发现，当退火温度升至160。c时，Y与si反应首先形成了斜方相Ysi．Ysl，Ysi，的丰}i 转变出现在24妒c．髓退火温度的进一步升高，Y原于均与基底的si原子发生反应，形成六方相的YsJ，关键词：钇硅化物；离子注^；同相反应：原位方块电阻测量 4+2 巾固分类号：0484 文件标识码：A StructuraItransfbrmationin silicide phase yttrium preparedbyioⅡimplantation WANG JIANG 1№n-wq Ning，XIEE卜qin昌HEDe-y锄吼p甜咖em《Phys记s．L田吐ouUniverSt札Ldnzhou7300∞，chi眦、 were ofl× Abstract：Y札riuInsilicide f研medhv of100keVvt订iumiollswimadoses Iayers imDlant鲥0n been 104 have cm‘2 siljconwafers．Thes仉Jct【lral of廿le imo(1l Iayers 1)o^ented phases compo呻d and wass110、vIl a characterkd mat wasfomed by Ys|phase X．r州diffhction．王t durh堰也eimplarl乜tion me Ied ofms妇shcet m龆suremem subsequenta11rIealir培ofs锄plest0(101)prefe化一“grawEh．The that the resbtance showed reactionbctweenY Sioccurs砒a and 160Dc， dudng雏I他a1_mg tempera帆of YSit0 at wh．Iet11e f吣m tal【es 2400c．