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siBe“与”逻辑发光RST器件探索研究
姜涛张鹤鸣戴显英崔晓英舒斌胡辉勇王喜媛
(西安电子科技大学微电子所，西安，710071)
摘要： 目前已经报道了能够实现“异或”、“或”以及“与非”功能的RST(实窀间电荷转移)逻辑器件。本文探
索性的提出了一种实现“与”逻辑功能和发光器件结合的RST器件结构．
RST(实空间电荷转移)器件是人们比较感兴趣的一种微电子器件，已报道了实现“异或”、“或”
和“与非”逻辑功能的RST器件‘”。如果将这种具有逻辑功能的器件结构与发光器件结构集成在一
起，则可以实现逻辑发光。
本文在分析RST器件基本结构与_[作原理的基础上，研究探索了实现具有“与”逻辑功能并实
现光发射的RST器件结构。
1．RST逻辑器件的基本结构
1)图1(a)为实现“异或’’逻辑的RST器件【51的剖面结构示意图，图1(b)为输入电压和
输出电流的时序关系。
vs：
V。：
’1
lC =295K
{mA)
O
·1
lc
=77K
{mA)
＆ sub6batQ(B：2x101r】
0
a b
图1RST器件剖面结构和输入电压与输出电流的时序关系示意图
图1(a)中上部所示smGeo3材料层为输入端导电沟道层，中部Si材料为载流子势垒层，下部
siGeo
子隧穿势垒到达邻近的si层，最后被收集层收集，形成输出电流。当vs与vD同时为高电平、或同
时为低电平时，导电沟道无可动载流子，收集层没有输出电流，输出电平为逻辑…0。
为该器件的表面俯视图，图2(c)为逻辑真值表，图2(d)为输入电压和输出电流的时序。
蛞 Vl v2 V3
b
V2
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Vs
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V2l O O 1 t O D t V1
I．put
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O
NAND OR
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图2RST器件剖面结构和输入电
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