非晶硅太阳电池ZnO%2fAl复合背反射电极地研究.pdfVIP

非晶硅太阳电池ZnO／AI复合背反射电极的研究 薛俊明周祯华任慧志张德坤孙建朱锋麦耀华耿新华 (南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津，300071) 摘要 本文首先就低温(140。C)下用Zn：A1合金靶直流反应磁控溅射法沉积Zn0：Al透明导电 非晶硅电池上沉积约70．100nm厚的Zn0透明导电膜，最后再用电阻蒸发法沉积Al电极。 实验获得了较好的n+／Zn0界面，实现了ZnO／Al背电极的增反作用，使电池的短路电流增加 1—2mA／cm2，光电转化效率提高卜2％(绝对效率)，小点电池效率达到9．5％。 关键词：非晶硅皂池，ZnO／AI复合背电极，背反射，短路电流，转换效率 ／、 太仙 0引言 对非晶硅太阳电池来说，目前的关键问题是进一步提高光电转换效率和改善稳定性。国 内外都普遍采取了叠层电池结构以达到减薄I层、增强内建电场，从而在一定程度上达到了 抑制光致衰退的目的。提高电池性能的另一个技术途径是采用陷光结构，即通过采用绒面透 明导电膜以增大光在电池l层的光程；通过TCO／Metal复合背反射电极以增强背电极对长波 段光的反射作用。其中ZnO／Metal复合背反射电极不但可以使I层的光吸收增强，从而增大 短路电流，提高电池的转化效率，而且可以进一步减薄I层，改善电池的稳定性；此外， ZnO可以阻挡金属背电极元素如Ag或Al向n+层的扩散，改善界面及电池性能【I“。目前， 国内关于复合背反射电极的研究很少，本文就非晶硅电池的复合背反射电极的制各工艺条 件、增反作用、n*／TCO界面特性及ZnO／Metal复合背反射电极对电池性能的影响等进行了 研究。 1．实验 本文制各ZnO：A1采用的是Zn：hl合金靶直流反应磁控溅射，溅射靶材选用A1重量百 分比为5％(原子百分比约为11％)的金属zn靶，溅射时衬底温度在120—150(2范围内调节， 靶到基片的距离为4-5cm，溅射时通入Oz／Ar比 为1／lO一1／20的02、Ar混合气体，溅射气压为 0．6-i．2Pa，直流溅射功率为80一200W。在上述工 艺条件范围内对ZnO透明导电膜的工艺条件进 行了优化研究。 然后在单结(glass／Sn02／pin／)或双结 (glass／Sn02／pin／pin／)非晶硅电池上沉积约 70．100nm厚的ZnO透明导电膜，最后再用电阻 蒸发法沉积A1电极。实验获得了较好的n+／ZnO 界面，实现了ZnO／Al的增反作用。 Wa-,elen鳓(micrometer) 图1不同厚度ZnO的光透过率 2结果与讨论 5000 4000 2．1 ZnO低温溅射 30∞ 由于制备ZnO：AI时不能破坏已沉积的非 晶硅电池，故溅射ZnO：A1时的衬底温度必须 2000 低于制各非晶硅电池的衬底温度，而本文中制 1000 各电池的加热器指示温度为175℃，基片的实 O 际温度约在150—160℃，故在电池上溅射 30 32 34 36 38 40 ZnO：AI的基片温度选择140C。其它优化工艺 2Theta 参数为，靶到基片的距离4．5era，溅射时通入 (a)不同厚度ZnO的XRD谱