磁控溅射碳化硅薄膜的结构的研究.pdfVIP

王玫1，黄安平1，宋雪梅1，朱满康1，汪浩1，王波1，严辉1，姚振字2 (1．北京工业大学材料学院．新型功能材料教育部重点实验室．北京100022； 2．中国原子能科学研究院，275(51)信箱．北京102413) 摘要：本文采用射频檄控溅射浩，在s“100)村洗，烘干后放入磁控溅射系统的真空室中·预真空抽 底上制备出了高质量的碳化硅(SiC)薄膜．主要研到2．0xl驴P丑，溅射气体为Ar气．气体流量为20sccm· 究了溅射参敷对沉积s屺薄膜蛄构的彭响，探索了 最低工作气压为0．1Pat最高衬雇温度为650℃t射 SiC薄膜的最佳制备务件．博立叶红外(唧t)光谱洲频功率为100--500W，衬底负偏压在O-300V之间变 ChIntek 试表明在优化的参教书件下．采用射频越控溅射法， 化。用Xian FT哦1020型红外谱仪分析了薄 啦够制备出高质量的B．SiC薄膜．一 膜的红外光谱。 关键词；磁控溅射；徊-si幽《叮Ⅱp ～ 3结果与讨论 1引言 图l为工作气压0．1Pa。工作时问40rain．改变 碳化硅(SiC)作为一种宽带隙半导体材料·因射频功率的条件下制备的样品的FTIR谱图，从图中 其较高的硬度、大的高温强度、优越的耐腐蚀性以 可阻看出，当射频功率为300W时．出现一宽化的 及良好的导热性能，在蓝色发光器件、高温器件、 吸收峰，悬由800cm1及1000cm‘处的两个特征吸 大功率器件和抗辐射器件的应用领域具有重要的地 收嶂叠加而成的．分别对直于每sjC中的Si-C谴的伸 位o】．cvD社和霸射法是目前制备SiC薄膜普遍采用的缩振动吸收及C-C健或$i-O．si基团的攮动吸收[21· 方法，其中CVD}蚵获得纯度较高、均匀致密、附着之所以出现这种塘果，是固为在相同条件下碳和硅 性良好韵SiC薄膜．但沉积温度较高(通常1000℃)·的溅射率有一定的差异。因而在薄膜中可能存在非 且存在较大的热应力·相对而言，溅射法制备SiC 晶碳、团簇硅和SiC的其它杂相·同时．在真空室 薄膜具有低温的典型特点．不仅能够解决热应力的 中有少量未抽净的杂质氯气存在一氯气离化后与翻 问题，而且薄膜的结构致密、针孔少、纯度也较高、 发生反应形成$i-O．si·当射频功率增大为枷w时· 成份易控、薄膜与衬底之间的附着性良好·而且工 800cm‘处的特征吸收峰盟度显著增强而1000cra1处 Ct数量显著 艺重复性好。尽管采用溅射法制备SiC薄膜的研究 的特征吸收蜂相对减弱。郾l葶品中Si 取得了令人可喜的进展，但是一些关健性技术问题 增多而C-C链或Si-O-SJ基团相对碱少·这是因为增 仍有待解决。如何获得更低缺陷、更好的附着性及 大射频功率不仅可吼增大囊击靶材的Ar+的能量pI· 成份可控的SiC薄膜．还需更进一步的研究· 同时也可以增大蕾气的离化率．从而增大簪离子体 本文采用射额磁控溅射法，在单晶si(100)衬密度．等离子体密度和At*相量的增大都舍导致靶材 Ct数量显着增多， 底上．制备出了高质量的芦-SiC薄膜．研究了麓射碾射率的增大．因而弹囊中Si 同时薄膜的生长速事也蕊增大-当嗣射功率增大到 参教对芦一SiC簿囔沉积的影响，探索了SiC薄膜的 Tnmsfer tnh-red) 最佳制备彖件．采用FTIR(Fouziu 500W时．从红外吸收昔可以■出虽撩薄膜主要由芦 研究了薄膜中基团的共振吸收特性。 -Si