SmCo%2fTbDyFe复合薄膜磁致伸缩特性地研究.pdfVIP

SmCo／TbDyFe复合薄膜磁致伸缩特性的研究 邱轶万红斯永敏赵恂 1 (田防科学技术大学航天与：材料工程葶院， 长沙40073) ～ ●一 -●一，●+一’_ 摘要 本文研究了s∞o薄膜及热处理对T01)yFe W／ll《性及鬻致仲缩性能的髟响．x肋分析衰明制鲁 态的ToDyee薄膜为非晶志，在5∞℃退火后样品出现了TbFe，的鲐晶物．SsCo肆膜的加入以及熟处理提 高了YoDyFe薄囊在低磁场下的破致伸缩性能． 芙健词SmCo。n脚F亡，磁致伸缩，薄膜 在微机电、微传感器等微型系统内用作驱动元件的材料有形状记忆台金、压电材料、 磁致伸缩材料、电致流变材料等，其中磁致伸缩材料由于具有强的磁致伸缩效应、高的机 电耦和系数、较快的响应速度阻及非接触式驱动等优点而倍受关注，在智能结构材料中占 有非常重要的地位．随着现代机电设备发展的微型化，超磁致伸缩材料的应用也转向了薄 膜化。九十年代以来，超磁致伸缩薄膜的研究已成为这类功能材料的研究重点． 目前已有许多研究者对Tb—Fe，S口一Fe，Tb—Dy—Fe等超磁致伸缩薄膜的制备及其磁致伸 缩性能进行了初步研究，然而其性能还差强人意，尤其是低磁场’卜的磁致伸缩性能需进一 步提高。“q．采用磁控溅射法制备的非晶态薄膜．其避晶各向异性较小。故在低磁场。F 具有较丈的磁致伸缩特性，但^。相对较小。本文通过磁控溅射法制备TbDyFe薄膜和 SrnCo／TbDyFe复台薄膜样品，并对样品进行适当的真空热处理。研究了SmCo薄膜和真空热 处理对TbDyFe薄膜磁致伸缩性能影响的基本规律，以提高薄膜在低场r的磁致伸缩效果，。 1．实验部分 本文采用直流磁控溅射的方法在洗净的单晶硅片(0．2×lOx25ram)上制备TbDyFc 单层膜和SmCo／TbDyFe复合薄膜．所有样品均在水冷基盘(50×SOmm)上溅射沉积，溅射 A，Ar气压强0．8Pa．溅射功率80I．靶面 溅射室本底真空为2x104Pa，励磁电流2．0 60rains．样品进行真空热处理 60mins，SmCo 与村底的距离为60m，镀膜时间：TbDyFe 本文通过悬臂粱方法旧测量样品的磁致伸绾系数，利用X射线衍射对热处理前后的样 品结晶状态作了初步分析，最后利用振动样品碰强计测试了样品的磁性能· 2．实验结果与讨论 2．1薄膜的磁致伸缩特性 ＼ 本文采用悬臂集法嗣定薄膜的碓致伸缩大小．测量结果如下图l： -氍∥ 一73． ■焉■正“ 圈l薄膜的磁致伸缩圈 A：制蔷志TbDyFe薄膜磁皴伸缩曲线 B：500C热处理后TbDyFe薄囊鞋藏伸缩曲螭 c：制蔷态SmCo／TbDyFe磁致伸缩曲线 D：500℃热处理后SmCo／TbDyFe磁致忡缩曲线 i The of ctave$ ’Fig p呲ern magnctos峨ction 从薄膜的磁致伸缩测量结果可阻看出，制备态TbDyFe薄膜磁致伸缩