Φ125mm直拉硅单晶氧径向均匀性的研究.pdfVIP

· 乡7妒j ①125mm直拉硅单晶氧径向均匀性研究 郝玉清 张果虎 常 青 方 锋 吴志强 万关良 秦 福 (北京有色金属研究总院，北京toooss) 摘 耍 本文研究了∞125mm单晶氧的径向均匀性。为控制氧径向均匀挂度首 先选择圣350mm熬场，增加晶转速度可以改善氧径向均匀性。 ．，+ 1引育 。 ’ 分布与熔体对流有密切关系，熔体对液主要 直拉硅单晶中的氯在器件热工艺中形成 有以下3种(2)。 ： ，．． 沉淀。而氧祝淀及诱生缺陷能够吸除硅片近 3．1．1 自然热甘藏 … ， 一 表面区中重金属杂质。从而提高集成电路的 由于拉晶砖翼的晕摩拂度产生的浮力雨 合格率。由于氯是过饱和杂质。氯沉淀受晶 引起的热对漉．它的无量纲速度掘黼于格 体中初始氯含量的强烈影响，因此控倒氯含 拉斯霍夫敷或瓒利效。 。 量及径向分布极为重要，有关氧的含量前文 哗 ．。叫(I) 已作报道o)。随着集成电路集成度的提高， 7’ ，j： 器件对氯径向均匀性的要求也越来越高。在 其中g为重力加速度，口为熔体的蕊膨胀器 数，厶乃为径向置度梯度．詹为石莱撮崔径， 我们工作中，生产合同要求P100、 y为熔体的运动粘滞系数。 ①125mm单晶氯_的径向均匀性小于5％。本 文通过分析熔体对流，研究晶体转速、热场 ‘—FzXT西3 ，，√(2) 舸 ， ．一 的大小对0125mm单晶氧径向均匀性的影 詹为熔体的热导率，^为熔体高度，4h的径 响，寻找控制氧径向均匀性的最佳工艺。 向温度梯度。 ，．f 2实验 3．1．2表面熟对流 ；| (1)在CC．-6000型单晶炉上拉制 沿着自由表面从单晶边缘到坩埚边缘温 ①12$mm单晶，采取变晶转拉晶，其它条件 度升高，因此存在由表面张力引起的表面热 相同，分析晶转速度变化对氧径向均匀性的 对流，它由无量纲的马兰革尼数决定。 影响。 (2)在CG-6000型单晶炉上分别装配 一 V7(3) 攀(鳔) 砒、砑7 ①350mm、(掣[00mm热场，装料量分别为 其中ID为熔体密度，(筇／拧)为表面张力的 30kg、45l【g，以最有利成晶为拉晶条件，拉 温度系数。