一种新型SiGe%2fSi快速软恢复二极管地研究.pdfVIP

一种新型SiGe／Si快速软恢复二极管的研究 马丽高勇 (西安理工大学电子工程系，西安710048) 特性曲线表明，该结构在正反向I-v特性基本不发生改变的前提下，得到了与I区固定掺杂结构相比更好的反向恢复 特性．软恢复特性更加明显．反向恢复过程加快。本文随后对渐变掺杂所得到的优越性能进行了理论分析。并对层 段厚度的比例进行了优化设计． 引言 随着电力电子技术的深入发展，对整机的优化设计要求电子设备具有体积小、重量轻等特点。 开关电源是具有这些优势的高可靠性的新型能源，其取代线性能源是发展的必然趋势。功率整流二 极管是开关电源中的关键部件，其功耗约占电源功耗的30％…，因而要求整流二极管在高速大电流 工作状态下具有开关时间短、正向压降小、软恢复特性明显等特点。 统的SiPIN功率二极管虽然具有较低的正向压降、较好的阻断能力．然而它的反向恢复性能较 差。为减少开态时的贮存电荷量获得较快的开关速度，常利用金和铂的扩散以及通过赢能电子辐照 等引入复合中心的方法减少子寿命，这样又会造成二极管的硬恢复特性及漏电流较大。SiGe材料由 于其带隙较窄”’、载流子迁移率较高”’等优点，已运用到HBT、MOSFET、光电予器件等领域并取 由于显著改善原有SiPiN二极管性能并与si工艺相兼容等特点也逐步受到重视。针对开关功率二极 行了特性模拟和详细的机理分析，并在此基础上对器件结构进行了优化设计。结果表明：在正向压 降基本不发生变化的前提下。得到了与n．基区均匀掺杂结构相比更好的反向恢复特性：反向恢复时 间大大缩短，软恢复特性明显改善。 器件结构及PIN二极管反向恢复工作原理 普通p+(siGe)-n‘一n+二极管采用类似于SiPIN二极管结构，所不同的是其p+层采用应变SiGe 材料，厚度很薄，厚度大约在20～50nm左右，n．区厚度由反向耐压进行选择。用外延方法可将 基区分为两部分，一部分为常规的轻掺杂区，靠近p+区，厚度为dl另一部分为稍重掺杂区，靠 构示意图。 P+(SiGe)～20-50nm P’(SiGe)～20-50nm 0e19 0e19 N(P+)=1 N(p+)=1 n。(Si)--dlN(n‘)卸5e15 um n。(Si)一10 Nfn‘1=l0e15 5e15 n。(Si)-．-d2N(n‘)=5 n’(si、一2um n+(Si)～2tlm N(n+)=1．0e20 0e20 N(n+)=1 圈l(a)n区采用固定掺杂的 幽1(b)n区采用两层渐变掺杂的 p+(Sil…Ge)-n‘-n+二极管结构 p’(sihGe。)·n-．n+一极管结构 典型pin二极管的反向恢复波形如图2所示，在正向导 IF 通时流过fr基区的是少数载流子，少子注入产生的电导 ] 调制效应使二极管的正向压降Vf降低。当电路使二极 管换向时，基区中存储的电荷必须被全部抽出或被复 ＼黼 合掉，这一过程的时