高精度4%27硅片腐蚀装置地研究.pdfVIP

第八届全国敏感元件与传感器学术会议论文集 高精度4’硅片腐蚀装置的研究+ 刘沁，张纯棣，匡石 浼鞲仪器仪表I艺研究氍，中国浇戳110043 e-mail：lq@sensor-cnerc．com ￡摘要]高精度4’硅片腐蚀装置是采用硅微机械制造技术(㈣)和硅微电子机械系统(盹Ms) 制造硅传感器的的关键设备之一。它采用计算机智能控制，一次可自动完成多片4’硅片的各 向异性腐蚀，无需人工控制，腐蚀一致性好，效率高。本文结合攻关项目的研究成果重点介绍 了“高精度4’硅片腐蚀装置”的主要技术指标、腐蚀机理、工艺、结构特点以及设备的主要 关键技术，并一同给出了设备的性能测试指标。 [关键词]微机械系统MEMS传感器各向异性腐蚀硅 引言 Electro～techanical 微电子机械系统MEMS(Micro Electro1_lechanical Tecbnology)是当今半导体微机械加工技术，特别是硅传感器微机械加 工技术研究的重要领域之一。它主要包括：1．采用IC微电子技术制备具有一定功能的半导体 芯片技术：2．采用微机械制造技术的专用工艺和设备，在半导体芯片上形成微结构的粱、膜或 岛等结构构件。现在，由于1c制造技术的目趋成熟，用Ic技术研制设计出各种微电子器件已 经不成为问题，但采用微机械加工技术形成满足要求的微机械结构却一直是研究的重点。而现 阶段完成各种微机械加工技术的手段，主要还是采用腐蚀方式完成，其中又主要分为湿法腐蚀 和干法腐蚀两种方式。由于湿法腐蚀装置简单，成本低廉，特别是湿法腐蚀中采用KDl-t水溶液 完成的硅材科各向异性腐蚀方式具有成本低，无毒、腐蚀表面质量好速度快等特点，因此在 MEMS的腐蚀技术上受到关注，并大量使用，但对该项腐蚀技术的装备研究却一直停留在实验 室阶段，没有完整的腐蚀设备和装置。为此，我们结合“高精度硅片腐蚀装置(针对4’硅片 的腐蚀技术)”国家科技攻关的研究工作，研制开发了一台高精度4’硅片腐蚀装置，它可以 ～次同时进行6～8片4’硅片的KOH各向异性腐蚀，系统全部采用计算机控制，腐蚀一致性 好，效率高，完全适应于KoH溶液的各向异性腐蚀需要．并满足大批量生产要求。本文将对该 装置的相关技术及工艺特点等加以介绍。 1．精度4’硅片腐蚀装置的主要技术指标及控制方式 1．装置的技术指标： 腐蚀种类：KOH各向异性腐蚀 腐蚀液温度控制精度：±0．5℃。 硅片腐蚀深度均匀性：≤2u，4’(硅片全表面) 腐蚀硅片生产能力：6-8片(4’单晶硅片)，每批 1．2控制方式： 腐蚀时间控制：计算机专家系统控制 腐蚀液工作状态：动态喷淋腐蚀 硅片腐蚀厚度控制：计算机闭环控制 操作界面：兼容MSWindows的视窗系统 状态显示：CRT触摸屏显示，可打印输出。 }十五国家奉斗技攻关项目，传巷箍产业化技术研究 2．高精度4’硅片腐蚀装置的机理、工艺过程、结构特点和关键技术 2．1腐蚀机理和工艺过程 单晶硅是具有金刚石结构特性的无机材料，但由于其晶向和晶面上原子密度不同，在不同 晶向与晶面之间，其键合密度存在差异。其中在单晶硅{111}晶面上原子密度和化合键的密度 最大，而在单晶硅{lool晶面上原子密度和化合键的密度最小，两者的化学腐蚀速率不同。正 是利用这一差异，我们将单晶硅材料置放在KOH腐蚀液中，由于各晶向侵蚀速率不同，因此 在KOH水溶液中可看到{111)晶面刻蚀速率相对其它晶面的刻蚀程度接近为零，利用该条件， 可使KOH沿{110}晶向按规定的腐蚀形状进行刻蚀，对此现象，称为硅各向异性腐蚀。图1． 为KOH腐蚀液对单晶硅材料腐蚀后示意图。 其化学反应的过程如下： 1．单晶硅+氢氧根形成硅酸化合物 Si+2(OH)。—卜si(oH)芯“e 2．硅酸化合物水解形成络合物 4H20+40H’—lS102(OH)2