硼-氮原子共掺杂金刚石的研究.pdfVIP

勤 稚 哮辛 抖 2006年增刊(37)卷 硼一氮原子共掺杂金刚石研究” 李荣斌‘ (上海电机学院材料成型与控制工程系，．￡海200245) 摘要：基于7Fersoff势多体势函数的分子动力学原子的进人。基于该想法人们已获得了高质量的P型 理论研究，提出了荻得n型金刚石的方法——共掺杂 GaN口1材料。然而。掺杂原子的掺杂效率要受到所形 法，通过理论计算确定了P型硼原子和n型氮原子共 成的共掺杂原子的掺杂动力学控制，由此本文采用适 存在于金刚石晶体中的稳定结构。结果表明，当硼原 合于描述共价键结构的Tersoff[”多体势函数，利用分 子周围的四个最近邻原子的点阵位置被氮原子所占据 子动力学理论，研究n型氮原子和P型硼原子共掺人 时，金刚石点阵结构最稳定，此时系统的总能量低于氮 金刚石晶体后形成的共掺杂结构，探讨共掺杂技术对 原子位于其它位置时的能量#以硼原子和氮原子为共 杂质原子在金刚石中的固溶度和掺杂效率的影响。 掺杂源是制备n型金刚石半导体材料的理想选择，硼 原子的添加有助于增加氮原子在金刚石中的固溶度、 2理论和模型 降低晶格弛豫能从而提高氮原子在金刚石中的掺杂 在选择合适的金刚石施主杂质原子时，不仅要考 率。 虑其在金刚石中的能级位置而且要考虑杂质原子在金 荚键词：共掺杂；金刚石；分子动力学 刚石中的固溶度，而杂质原子的固溶度可根据最小自 中国分类号：0411．3：0474文献标识码：A 由能原理来确定，其固溶度(5)符合下述热平衡方程关 文章编号：100l一973l(2006)增刊一0232—02 系： ， F、 1 引 盲 S=N。expl一杀】 (1) 、 E』， 金剐石是当今世界最为理想的半导体材料之一， 式中E代表杂质原子的形成能，Ⅳo代表基体的 由于金刚石具有高弹性模量、高熔点、化学惰性、高热 密度。本文讨论了金刚石进行硼一氮共掺杂时，少量硼 传导性及宽的禁带宽度等特性，可以应用于高速、高温 原子(B)的添加对掺人金刚石中的氮原子(N)形成能 和高功率条件下工作的半导体器件，为了制备金刚石 太小的影响，通过计算不同共掺杂结构的杂质原子形 半导体器件，必须对金刚石进行n型或P型掺杂。众 成能的变化确定共掺杂所产生的形成能变化太小 所周知，与硼掺杂的P型金刚石相比，用氮或磷掺杂来 (△E)。 获得较低电阻率的n型金刚石是相当困难的。虽然氨 模拟过程采用金刚石单晶的计算原胞为40层，每 在金刚石中具有很大的溶解度但其缺陷形成能却很 低，而且处于置换位置的深施主氮原子通过碳一氮原 子问键的破断产生很大的晶格畸变口。。；从头计算结 果“j和电子顺磁共振03研究表明，置换位置上的氮原 间相互作用的Tersoff势函数不仅适用于金刚石结构 子打断了与之相连的4个最近邻碳原子并且使其本身 和它的相反方向的碳原子分别向[1II]和[m]方向扭 势研究了金刚石和石墨结构相互转变的过程