蓝宝石衬底上AlGaN%2fGaN+HEMT的研究.pdfVIP

I GaN／GaN 蓝宝石衬底上A HEMT研究 焦刚 陈堂胜 薛舫时 李拂晓 (南京电子器件研究所，210016) 摘要：报告了研制的A1GaN／GaN微波功率HE婀，该器件采用以蓝宝石为衬底的非掺杂 HEMT在1．8GHz、 以及SiN介质进行器件的钝化。研制的2001m栅宽T型布局AIGaN／GaN 密度为2．5W／ram，功率增益为10．24dB，PAE为35．2％。 关键词：宽禁带半导体；AIGaN／GaN；高电子迁移率晶体管；微波大功率 l 引言 同态化是微波功率器件发展的方向，GaAs肖特蒸场效应晶体管(FET)以其优良的频 率特性和功率特性在固态微波功率器件中发挥着重要作用，特别是能带]：程的出现进一 步奠定了GaAs基FET在微波功率器件中的主导地位。随着对输出功率要求的不断提高， GaAs材料较低的热导率和较低的击穿场强制约了GaAsFET在固态丈功率方面的发展， 另外尽管多芯片合成可以实现大功率输出，但由于大栅宽GaAs功率FET的阻抗太低． 进行内匹配和功率合成的难度很大．人们一直在寻找一种更适合于固态大功率要求的器 件。二十世纪末，以AIGaN／GaN HEMT为代表的宽禁带半导体器件的出现较好地迎合了 这一需求，GaN有较GaAs更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度，作为人 率是GaAs的9倍，有效地改善了器件的散热。另外，AIGaN／GaN异质结构不仅具有较 GaAs 的自发极化和压电极化．感生出很强的界面电荷和电场，积聚起高密度的二维电子气。 这种_二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生，消除了电离散射中心的影 响。GaN材料的这些特点决定了AIGaN／GaN HEMT不仅具有优异的微波功率特性，其单位 毫米栅宽输出功率理论上可达到』L十瓦，远火于GaAs基微波功率器件，而且其宽禁带 HEMT 特点决定它可以承受更高的：1：作结温．作为新一代的微波功率器件，AIGaN／GaN 将成为微波大功率器件发展的方向。 近儿年来，AIGaN／GaN 衬底的AIGaN／GaN 底上的AIGaN／GaN H圈T尽管受散热的限制，在8GHz输出功率密度也达到6．5W／mm。功 率增益9．IdB，功率附加效率51％”。。另外具有实用意义的AIGaN／GaNHEMT也相继推出， 已研制出在6GHz脉冲输出功率51W的功率放大器，该器件的总栅宽为8mm。倒装在AIN 基片上形成单片集成电路“’。还有类似的AIGaN／GaN功率单片电路．4mm栅宽的器件在 8GHz连续波输出功率14W”’。近几年来国内也在开展AIGaN／GBNHEMT的研究，总体水 平与国外相比有较大差距一目前还没有具有微波功率特性的AIGaN／GaN HEMT研究结果 的报道。本文将报告进行的蓝宝石衬底上A1GaN／GaN HEMT的器件二I：艺技术研究和器件 的初步结果。 2 器件结构及器件工艺 图1给出了典型的非掺杂AIGBN／GBN HEMT结构示意图，在蓝宝石或SiC衬底上先 低温生长一薄层GaN或A1N成核层，然后在高温下生长i-GaN缓冲层，为提高GaN层的 是决定器件性能和外延层缺陷密度的一个重要物理特性，目前高质量GaN和AIGaN外延 异质结界面产生一层净自发极化正电荷。在GaN上生长的A】G洲产生的张应力导致压电 极化的形成，压电极化与自发极化相叠加，在AIGaN／GaN异质结界面形成一层净正电荷， 这层净正电萄在GaN表面附近的二维电子势阱中感应出二维电子气。因此该结构的器件 中二维电子气不是由掺杂层中的电子转移产生的，而是来源于材料的极化效应。A1Ga