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纳米颗粒测试与标准培训班 用XPS法精确测量硅片上超薄氧化硅的厚度 刘芬+邱丽美赵良仲 中国科学院化学研究所北京 100080 硅片表面的氧化物薄层之所以非常重要，是因为超薄Si02层可用作新式栅极氧化物+(gate oxide)。近年来，用于固体电路组合元件制作的栅极氧化物的厚度(纳米级)正逐渐变小。为要控制 超薄氧化硅的厚度，必须对厚度进行精确测量。国际半导体技术路线图(ITRS)提出以1％的标准 不确定度测量超薄门氧化物的要求。在工业上测量氧化物薄层厚度的常用方法是椭圆法，该法因其 快速准确而受到欢迎。但是，椭圆法对表面污染层很敏感，它更适合于分析厚度大于10 rim的薄层。 x射线光电子能谱(XPS)适用于分析10nm以内的薄层，但是，在定量分析方面，XPS通常是相 对定量法，而且分析误差较大。例如，用原子灵敏因子法做元素相对定量时误差达10％一20％。在 测量薄膜厚度方面也存在类似大小的误差，后者可归结于光电子在氧化物层中衰减长度和非弹性平 均自由程存在较大不确定度。但是，在最近几年中，英国国家物理实验室以M．P．Seah为首的研究组 在用XPS法分析硅片上超薄氧化硅厚度方面做了大量深入细致的工作，他们通过对衰减长度等因子 进行精心计算和校正，通过正确选择测量条件(如晶体样品的方位角和光电子发射角)，使得精确测 量硅片上0．3--8nm的氧化硅层的厚度得以实现，厚度分析精度达到1％之内¨，剐。以下我们简单地 介绍一下他们的主要工作。 ’注：栅极氧化物是指在金属一氧化物一硅半导体(MOS)场效应晶体管中将金属栅电极层和半导体 表面分隔开来的氧化层。 一、氧化硅厚度的计算公式 1．1厚度计算公式 用XPS法，通过测量氧化硅和元素硅的Si2p峰面积来计算氧化 硅层的厚度。由于氧化硅和元素硅的Si2p电子动能很接近，根据非弹性和弹性散射理论可得关系式 (1)(21： d=L cos (I) 0In(1+R。xp，／R。) (I)式中d为氧化物的厚度，工为Si2p光电子在氧化物中的衰减长度，R唧，是实验测得的氧化硅和 元素硅的Si2p峰强度比，尺。是纯氧化硅和纯元素硅体材料的Si2p峰强度比，p是光电子发射角，定 义为光电子发射方向与样品平面垂线之夹角。 147 纳米颗粒测试与标准培训班 ——————————————————————————————————————————————————————————一- 很显然，(1)式忽略了光电子穿越氧化物层时氧化硅和元素硅的Si2p电子动能存在差别(约 4eV)，但这一差别只带来0．26％左右的误差，所以可以忽略。 如果要分别计算它们的厚度，则(1)式可用下述四个关系式代替¨’： ／lsi％ } cos0In1+ (2) 如02=￡si02 L磊疆R蒋sio j L聂磋再J dsi20j--Lsil蚋s弧[1+(急)] (3) ‰--Lsiocosoh[1+＼R／∞Sic岛))] (4) dsx．20-Ls妒cos秽k[1+(盏)] (5) 因此总的氧化硅层厚度为： 丸胁2‰：+o．75ds,：03+o·5‰+o·25电o (6) 虽然硅片上氧化硅层的厚度可用公式(23至(6)来计算，但颇显麻烦。为此，Seah等又提出一个 比较简单的计算公式： 丸胁=‰删卟+蕊