厚膜功率集成电路工艺讲座(Ⅱ).pdfVIP

《电力电子技术》1992年肇 1期 ∞ 40A和 10OA三种，面交 ▲．| 流电路中超过10马力的 参 考 文 献 电动机要到1994年才能 I M arrin W ．Smith．Application Market 夫发展，所 以该等级的 ofPowerDe~ices．USA ；Power Conversion 器件竞争将更激烈，将 InTellMotion，1988，I4(6) 来谁 占上风，主要取决 2 张志豪等．评电力 电子技术 发展．冶 金 自动 于芭们各 自的价格性能 化 ，1986．10增‘刊)l2～ 12 比。 8 Vitins ，．New M 4nuf4cturig Techao— logy for H igh Voltage ThyristotS． Inf． 图13c等级的电源 Recdrd 1987．IEEE Industry APP1．SOC．。 需要太 电流，一般要求 大于looAo到1990年 以 1987， 531～ 599 4 Semiconductor Devices for Power 后。IGBT凿达到looA， Conditioning．BBC公司，1981，20~47 BJT因放大系 数 只 有 5 Foster A ． Microelectronics and 10，所 以若要BJT的电 PowerElectronics ＆ Power(GB)， 1984，30 流增益太子l0，则其逢 (6)I499～t61 价将 比GTO和IGBT高 6 Grant D． Thyristor Application 几倍，而 MoSFET 的 notes．IR公司，1975．CAliForni90245t 5e～ 电流容量难 以上去，因 77 此该等级的应 用 将 是 7 MicohaelS．Adler eta1．The eYoln- GTO的天下 。 tioaof PowerDevices Technology．1EEE． Trouts． on Electron．Device=。1984． ED-31 【1I)l1670~ 1591 圈13 25oV，45oV~．loooV三个 电压 8 Foster A ．Trendsin PowerScmi~on— 等敏 电弹用的器件 电蠢磺捌 ductors． IEE