不同厚度的La2%2f3Sr1%2f3MnO3多晶薄膜输运性质的研究.pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约3.85千字
  • 约 2页
  • 2017-08-15 发布于安徽
  • 举报

不同厚度的La2%2f3Sr1%2f3MnO3多晶薄膜输运性质的研究.pdf

不同厚度的La:BSr.培MnO,多晶薄膜输运性质研究 蒋晓龙徐庆宇桑海都有为 南京大学同体搬结构物理实验室 南京210093 摘要: 运川磁控溅剿的方法,在表面氧化的siooo)基片上制备了一系列不同厚度的 nm,当f33 L%,ShnMn03多品薄膜。根据对输运的研究,发现存在一个厚度73 nm的时 nm的时候。薄膜的电阻太大以至于薄 候,薄膜呈现山与块材类似的输运特点.而当,7.3 11111 膜的金属一绝缘体转变温度(70变得不可测最。X射线衍射(XRD)结果显示:在f=73 附近存忙一个结构的转变。这表明La。sr。MnO,不同厚度多品薄膜的输运性质的不同或许 来自结构的转变。 简介。 自从在化合物磁性钙太矿R。A、Mn嘎系列中发现了巨磁电阻(CMR)【l,2】效应(这 里R希IA分别是稀1:年¨碱十金属),这个系列的研究引起了J“泛的兴趣。根多因素会影响 这类磁性材料的磁和电的输运性质,比如氧气的浓度【jJ、压力【4J等等。在外延法生长的磁 性钙太矿薄膜中.关下输运性质和厚度之间的关系有了很多的研究15—7】。研究结果表明。 与厚度有芙的辅运性质主要来源于晶格失配所引起的压缩或拉伸应力。随着薄膜厚度的增 加,麻力释放,从而在薄膜里显示出和块材一样的输运性质。上面所提及的研究都是基于 外延法生眭的薄膜.所采厢的基片有利丁.磁性薄膜的晶化。因为在si基上氧化的Si02是 非晶的,对La∞Sr,。Mnq多晶薄膜的晶化几乎没有影响。我们在表面氧化的Si(100)基片 上沉积La∞Sr。。MnO,多品薄膜.研究它的输运性质和厚度的关系。 实验细节· cfIi的圆片。样品制备过程中t背景气压 相反麻方法制备的La∞sr.nMnq靶材是直径为6 Pa.没有氧气的参与,在蛊温F进行溅射. 为I.0x10。‘Pa.氧气(99.99%}的气压大约为1.0 x射线衍射(xRD)结果表明在这样条t1:F制备出来的薄膜样龋是非品的.将不同厚度的样 品统一枉700℃进行退火lO小时。对样品结构采刚x射线衍射进行分析。电阻的测量采 2400型恒流源提供恒流,2182怒纳伏表测最电压.外加磁场 月j常规的四端法,由Keithley 平行丁膜的表面。 结论和分析t 图I所示为薄膜的宝温电阻率和金属.绝缘体转变温度(Tp)与厚度(t)的关系。在厚度t 73 nm时,即使在很低的温度F,电阻率相当的大,以至于我们测量不出来,当llOnmt 73 nm时.样品的电阻率几乎不变.. nm时.从图1可看到,电阻率迅速F降.当t110 rim的样品,随著温度的 K到室温箍温度变化的关系.对t=73 测量了样舳的电阻率从77 nm的样品, F降,电阻迅速增大到不可测量,也没有观测到金属一绝缘体转变,对t≥110 存拄金属.绝缘体转变,然而金属.绝缘体转变渝皮(’rp)低丁La。sr。。MnO,块材,只有扯t≥110 11)neff样品所显示的MR部具有相同 nm.的样牖中.MR才可以拔观测到。图2所示为l≥l kOc外场1--.MR效麻与厚度的关系。 的趋辨。与外场关系近似为线性的。图2所示在9 ..49..

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档