PZT铁电陶瓷的低频内耗的研究.pdfVIP

第40卷增刊(A) 中山大学学报(自然科学版) v01．40，ppl．(^) 2C01年6月ACTASCIENTIARUM NATUBAI．,IUM UNIVERSITATIS刚ArI锄 J,m．20‘01 PZT铁电陶瓷的低频内耗研究。 王灿，石云，方前锋，朱震剐 (中国科学院固体袖理研究所内耗与固体缺陷开放研究实验室，各肥230031) 摘 要：用传统的固态反应法翻备了Pb(z哂_啦!j。蛆)q铁电冉瓷，在低频扭摆上采用强迫振动的方式。在 O．05—4＆的频率范围内测量了1,zr帙电陶瓷的内耗温度特征．在室温至350℃的内耗一温度曲线上。290 ℃和150℃耐近分别出现两十弛豫型内耗峰Pl和B，并且在50℃附近观寨到一个较低的内耗峰．根据^十 10-14 5，并且分析了Pl和P2内耗峰的机制． 关键词：Pzr；铁电膏瓷；内耗 文献标识码：A 中图分类号：田174．／5+8．11；0482 文章编号：05咎6仰(：2001)s1也她 铁电陶瓷具有热释电、压电、光学、铁电 和1．50 Hz)分别有弛豫型内耗峰 qc附近(，=l 等优越性能，在光学、电子、机电等领域有着广 P1和P2．图2是模量温度曲线，对应予内耗峰 泛的应用．内耗作为研究材料微结构的重要手段 P1和P2的峰温附近可以看到模量亏损现象．另 之一，在铁电领域已经取得了很多成果，为揭示 外，在内耗曲线上50℃附近也有一峰高较低的 该材料的结构和性能提供了报多重要的信息．氧 内耗峰岛，该峰在模量曲线上也有明显的模量 缺位是导致trZT铁电疲劳主要原因之一，P2T陶 亏损． 瓷中与氧缺位相关的内耗峰也有报道【IJ，为了准 确测定氧缺位弛豫参数，试图通过内耗方法促进 对疲劳机理的认识．本文使用强迫振动的方法， 测量了不同频率的内耗和模量曲线，用拟合方法 分析了与氧缺位弛豫相关的内耗蜂，精确求出了 氧缺位弛豫的激活能和弛豫时间， 1实验 S—*u芷j$兰 实验样品是按传统的固相反应{去制备的 Pb(硒％‰．“)03多晶陶瓷．将Pb04，Ti02，Zr02 三种化学纯成分按摩尔比称量混台，考虑到固相 反应中Pb容易挥发，为避免样品中严重缺Pb， 圈1不罚频率下PZT一瓷的内耗矗度曲线 影响样品的性能，配料时增加了Pb质量含量 (w=5％)．均匀混合后的样品经研磨，放人氧 Pt峰的峰温随额率变化较小，由于P1峰的 化铝坩埚中压实，预烧至800℃，保温5h；取 峰温接近irdr冉瓷的铁电一顺电的相转变的温度 出再均匀研鸯，压制成条状样品在1150℃烧结 (32D℃)，滚峰应该是与相变内耗峰的叠加，还 4h，得到Pzr多晶陶瓷样品．内耗测量是在多 没有办法从内耗曲线中将它们分开．假设该内耗 功能内耗仪上进行，测量振幅为5x10_。． 峰是热澈活过程，从内耗实验曲线上的峰温，粗 2结果与分析 略计算得出的激活能和弛