有机-无机杂化中孔结构的SAXS的研究.pdfVIP

F．催化新材料与纳米技术 1007 有机一无机杂化中孔结构的SAXS研究” 巩雁军1 李志宏1 吴 东1 孙予罕1 邓 风2 罗 晴2岳 勇2 (1．中国科学院山西煤炭化学研究所，煤转化国家重点实验室，太原030001； 2．中国科学院武汉物理与数学研究所波谱与原子分子物理国家重点实验室，武汉430071) 许多现代物理技术可以用于对有机官能化中孔分子筛的表面和织构性能进行表征，例如通过 xRD、HRTEM、SEM、N。吸附／脱附技术等对中孔结构的物相进行分析；FT—IR、艚SiNMR、”c 键合方式以及骨架结构及组成的稳定性，但上述表征不能提供有机基团在孔道或骨架的存在方式及 存在状态。然而，利用同步辐射小角X一射线散射(sAXS)对有机官能化中孔材料的结构及界面特征的 研究正好是对上述研究手段的补充[1J。SAXS表征方法无论对具有开孔还是闭孔的多孔材料都可以 提供孔结构信息，还可分析由于有机基团引入而对骨架和孔道表面的影响作用，包括粒度、孔结构、分 形、界面等更多的结构参数“．3]。l本文合成有机官能化中孔材料，采用SAXS对有机官能化中孔材料 的分析既可定性证明有机官能化分子筛中界面层的存在，还可确定界面层的平均厚度，同时对 MCM一41和MSU—X中孔材料的有机官能化过程中模板剂及有机组分的影响行为进行对比研究，为 深入理解有机官能化分子筛的表面结构特征及形成机制提供了有意义的信息1 本文以一种或两种有机官能团有机硅氧烷在中性表面活性剂的作用下与正硅酸乙酯(TEOS)共 孔材料(R—MCM一41)。 材料中有机组分及其热稳定性。应用同步辐射x射线源进行样品的sAxs测试，长狭缝准直系统(x 一0．154nm，2e约为o～3。)，成像板法检测散射强度，散射强度进行空白和样品吸收的校正。数据处理 采用自编程序，应用模糊数据处理方法进行结构解析。合成样品经XRD、N。吸附、TEM进行了物相 NMR、”CNMR、TGA等证明所选有 MCM一41类型的纯硅及有机官能化中孔材料，通过FT—IR、”Si 机官能基以共价键的形式与硅基骨架相连。根据SAXS分析有机官能化MSU—x的散射强度对 一步得出该有机界面层的厚度随着有机前驱体的量不同而变化。有关SAXS数据的分析方法我们已 经作了报道““。表1中列举了典型的几个合成样品的SAXS的结构参数。 *国家自然科学基金(NO和国家重点基础研究专项基金(资助项目 1008 可持续发展战略中的催化科学与技术 囊1纯硅爰有机盲能化中孔材料的SAXS结果 Table of materials 1 SAXSStructural parametersso‘producedmesoporous radiusof pore ‘Slope highanglerange!。theth|cknessofinterfaciallayer；‘Averagegyration． ofIn[q3J(q)]vs．q2in 由表1可知，纯硅MSU—X原粉(样品1)中模板剂存在给Porod定理带来正偏离，去除模板剂后 剂时其斜率为一0．169，而去除模板荆后为一O．329。这是由于模板剂和有机官能基的正负偏离的抵消 后的结果所致。进入甲基和苯基双有机组分时(样品5)，其偏离的程度更多，斜率为一0．510。样品6 其SAXS结果为正偏离，进入甲基基团后其正偏离的程度降低，但仍为正偏离斜率为+0．835，当同 样用乙醇圆流的方法去除模板剂后斜率为+0．702略有降低，因为CTAB没有完全去除。CTAB和 AEO这两种模板剂形成中孔相时作用机制不同，使得模板剂与中孔结构表面的作用不同。 参考文献