钝化多孔硅温度行为地研究.pdfVIP

钝化多孔硅温度行为的研究 李宏建，彭景翠，瞿述，许雪梅，陈小华，夏辉，罗小华 (瑚南大学应用物理系，瑚南长沙410082) 摘要一本文报道选用分有胺基的正丁胺作碳潭． 采用射蕞辉光敢电法棚备碳肢钝犯多孔硅的蛄果， 3实验结果及讨论 主要研究钝化多孔硅经存放后荧光谱随温度的变化 规律，井洲量了整个钝化多乳硅厦多孔硅屡的电阻 3．1钝化多孔硅的荧光光谱(PL) 一疆庹特性，对其实验结果培出了较好的解释． 图l是Ps未经饨化的样品a和与a相同经钝化 关键词：钝化多孔硅；荧光谱；电阻 的样品b的PL谱，从样品b的PL谱可以看出，其 发光强度有较大的提高，均为未经钝化的多孔硅样 1引言 品a的发光强度的4■．5倍．而其PL谱峰位有明显 蓝移。与未经钝化的样品a相比蓝移约30rim。存放 自从1990年canhamt”报道了多孔硅(PS)在室 实验也说明钝化多孔硅具有很好的发光稳定性· 温下的光致发光现象并给出量子线约束效应的机理 解释以来·在多孔硅发光领域不断有新的进展．但 是多孔硅发光中存在着发光效率相对较低和发光强 度随时间衰碱并伴随发光峰位移动的问题．为了解 决上述问题，研究者提出了各种多孔硅制备的后处 理方法B≈。但效果并不令人满意．最近多孔硅发光 的效率及稳定性问髓正通过铁饨化州、氨钝化“等得 弓甘，石求联 以逐步解决· 本文报道选用古有胺基的正丁胺作磺撅．采用 射颤徉光放电法制备碳膜钝化多孔硅的结果．主要 t长^椰 研究存放了若干天的钝化多孔硅的荧光谱硅温度的 圈l样品a、b的蓖光谱 变化规律．并测量了整个钝化多孔硅及多孔硅层的 电阻温度特性一 3．2钝北多孔硅荧光谱随强度的变化 图2给出了钝化多孔硅存放，0天后PL谱融温 度昀变化曲线·从圈2可以看出：钝化多孔硅的荧 2样品制备 光谱髓钝化温度升高发光强度有一定降低且谱线峰 2．1多孔硅(Ps)的制鲁 位明显蓝移．发光器度麓温度稽有降低是因为：根 据饨化多孔硅红外光谱可知．多孔硅的Si-H健中的 制备Ps所用材料为(1∞)晶向的P型单晶si· C NtSi H部分脱附t在钝他层中形成了稳定的Si 电阻率为5．¨．5rhn．制备Ps用的HF(40％)； 和貅0结构，使钝化多孔硅荧光强度增强．但钝化 Q地0}扣l：1的溶液一电流密度10n山tml，在25℃ 多孔硅中尚存的s}H随着强度升高脱附形成少量si 下通电10lTIilI-制成的Ps在案外灯熙射下发髓光· 2．2多孔硅(Ps)的钝化旧 的矗挂健．增加了非辐射发光中心．