2.5G+DFB量子阱激光器p型欧姆接触电极地研究.pdfVIP

第6卷第3期 功姥材料与器件学报 vol 3 6No 2000年9月 JOURNALOF FUNCTIONAL MATERIALSANDDEVICES Sep【．2000 文章编号：1007—4252(2000)03—0289—04 2．5G DFB量子阱激光器P型欧姆接触电极的研究 李秉臣， 彭晔， 朱洪亮 (中国科学院半导体研究所，国家光电子工艺中心，北京100083) 摘要：对2．5G DFB量子阱激光器P型低阻欧姆接触电极进行7研究，在 退火温度400℃，退火时间30s进行快速热退火条件下，对Au．Pt．Ti／InAs／ Zn1×10”cnl。)／MQW／n-InP两种结构进行了P型欧姆接触试验研究，并 对两者串联电阻进行了比较，其结果前者的串联电阻阻值为后者的1／4。 关键词： 能带工程；欧姆接触；串联电阻 中图分类号：TN365，TN305．93文献标识码：A l 引言 在2．5G DFB量子阱激光器研制过程中，为了满足器件频率特性的要求，有源区条形宽 度很窄f～2“m)，使得该器件的串联电阻比一般的激光器太得多。Ti．Pf．Au非台金膜系金属 化电极，具有高可靠性和高稳定性的特点。但是Ti既不是P型也不是n型的掺杂剂，而只是 起着粘附层的作用，n膜作为阻挡层，Au膜作为互连引线焊接之用。但是把Ti．Pt-Au非合金 金属化电极作为该器件的p型电极，就会遇到串联电阻偏大的问题。因此如何把串联电阻降 下来，成为2．5G DFB量子阱激光器研制过程中一个急需解决的问题。 2实验 本实验采用了INNOTEC公司生产的VS．24C型多靶磁控溅射系统．在不同的材料生长 x 快速热退火装置，进行快速热退火实验。分别采用退火温度为450。C，退火时间为30s和退火 温度为400。C，退火时间为30s两个条件下进行退火试验比较，最后用1．V法测量上面两种 不同P型衬底材料的器件结构的串联电阻。 3结果与讨论 3．1 收稿日期：2000—07—07：修订日期：2000—08—24 作者柏介：李秉臣(1941一)．男，高级工程师． 功能材料与器件学报 6卷 其器件结构简图如图l所示 Ti．P卜Au p+-h，cd^5(掺Zn1×10”∞一3) 1 Schematic of Fig diagrmnTi-Pt—Au／p+一InGaAs MQW zrI)1x (doping 10jcm一3)／MQw／tt—InP n_InP 图1 “CeNi MOreln．[nP结构示意图 薄，再真空蒸发AuGeNin型电极，在退火温度400。C，退火时间为30s的条件下，进行快速热 退火。 最后进行，一y特性测量，在，=25mA条件下进行测试，其串联电阻胆值如表1所示： 表l 样品在退火温度400U退火时间为30s所测量的串联电阻阻值 Tablel of annealedal400Cfor B Seriesresistances 30