用不同金属化系统制备n-GaN欧姆接触地研究.pdfVIP

／ 用不同金属化系统制备n．GaN欧姆接触的研究 张小玲吕长志谢雪松李志国肖蒇韩迎 (北京工业大学电子信息与控UT程掌院100022) 曹春海 (南京圆体器件研究所210016) 度下的欧姆接触的接触电阻率进行了比较和分析．室温下TVAI／Ni／Au＆Ti／Au／Pd／Au的接触电阻率都 各’，但在高温下(3D0C)，其接触电阻率增加到以上．随着温度的升高，Cr／Au／NrdAu的接触电阻率略 有增加．室温下的电阻率有待进一步的改进。 关键词tn_GaN材料：欧姆接触：接触电阻率 7- Metallic 0hmicContactswithDifferent ofn．GaN Study System ZHANG