(27-300℃)宽温区薄膜全耗尽增强型SOI+MOS器件输出特性地研究.pdfVIP

l (27—300*(2)宽温区薄膜全耗 ； MOS器件输出特性箭 } l 冯耀兰宋安飞张海鹏樊路由 I (东南大学微电子中心南京21001 张正墙 (信息产业部电子24所重庆400C j膏要：本文介绍了薄膜全耗尽增强型SOl MOS器件实验样品的当 在(27-300(2)宽温区输出特性的实验结果和理论分析。研究结果j 温区具有良好的输出特性。 1引言 S01技术是廿一世纪的硅集成电路技术。应用日益广泛。根撵 ’加偏置电压的不同，SOI器件有多种导电类型工作模式f11．其中常月 全耗尽增强型和薄膜全耗尽积累型等导电类型。 国外从廿世纪八十年代后期就开展了高温SOl MOS器件的研， 牡】提供的资料表明-与体硅和犀膜部分耗尽器件相比，薄膜全耗尽 减小，而且使阐值电压随温度的变化率降低，对高温应用大为有利