光驻波场操纵锂原子进行纳米结构制作地研究.pdfVIP

!竺!兰竺生 至±=量全璺墨三查：曼三查：垄±查兰查±室 !型：垒塑 光驻波场操纵锂原子进行 纳米结构制作的研究4 陈献忠，罗先刚，姚汉民，李展，张嵬，陈元培 (中科院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室，成都610209) 摘要：纳米结构制作是发展纳米科学技术的基础，研究用光操纵原子进行纳米结构制作的新 方法，是一个难度大、涉及面广的前沿探索课题．本文首先对光驻波场进行了简单介绍和分 析，得到了一些对实验有意义的结论．然后介绍了光力的来源，对原子流在与其垂直的光驻 波场中的运动进行分析，针对不同的情况模拟原予在基底上的堆积图形。基于以上理论进行 实验并取得初步实验结果．本文将娌原子操纵和纳米加工两个方面起来，在理论上和实精应 用的可能性上都具有十分重要的意义． 关键词：光驻波场；锂原子操纵；纳米结构制作 1引言 纳米技术作为本世纪出现的高技术，发展十分迅猛．并由此开创了纳米电子学、纳米材料学、纳 米生物学、纳米机械学、纳米制造学、纳米显微学及纳米测量等新的高技术群。纳米技术是面向21 世纪的一项重要技术。有着广阔的应用前景。因此，美、日、西欧等国家均投入相当大的人力和财力 进行开发。纳米结构制作是纳米技术的重要组成部分，利用中性原子制作纳米图形是光操纵原子领域 的重要应用之一．该技术与其它技术相比具有非常突出的优点。例如，电子束光刻工作效率低，且由于 空间电荷效应使分辨能力降低。而原子是中性的，不受电荷影响。可并行制作图形．制作效率高。x 射线和电子束光刻引起的基底损伤限制了光刻工艺．然而对低能量原子来说，几乎不存在损伤问题。 此外，由于原子的德布罗意波波长很短，该技术具有潜在的高分辨能力。 2光驻波场 光驻波现象在光学中是普遍存在的，但由于光的波长比较 短．所以要完成光驻波的实验是困难的。本文主要考虑光波垂直 f反射面入射时形成的光驻波场，较为复杂的驻波场在文献【I】嘲 中有介绍。把t=0时刻入射波在坐标原点。的位相取为零(下同)． Ⅱ．、d，分别为入射光和反射光的振幅。±、，、i分别为沿三坐 标轴的单位矢量，k为波矢量。 Z 假设镜面的反射系数为r它被定义为反射波束的能量与入 射波束的能量之比，这样振幅之比就是√r。如图1所示坐标系图1 光垂直八射于理想导体表面 统中，线偏振入射波与反射波的叠加电场为： E=琶：+E，=§啦：e。J‘+arem)e’i。 由菲涅耳公式【3】可知 rE：‘IL=巧 +基金项目；中国科学院知识创斩工程资助项目tA球0--’) 2001年10月 光驻波场操纵锂原子进行纳米结构制作的研究 豆=如．√7沁一“一P-“)e一’“+知i(1一√i)e一“．e-t“(3) 复振幅 罾=吼#(P～一eiU)+a。(1一再)e—m (4) (3)、(4)两式中，第一项代表驻波分量，第二项代表行波部分，显然当r越接近于1该项越小。 当反射系数为1时，上两式代表振幅沿x呈正弦变化的交变电场，是两传播方向相反、振幅相同的行 波的叠加结果，称为驻波或纯驻波。纯驻波不是传播的波，只是一种场的振动。 令，o=a。2，得光场强度 cos(2kx)l (5) ，=富．童+=，。【(1+r)一2-打r 反射系数接近于1时当作理想反射面(r=1)，光强分布为 sin2 (6) ，=410kx=210(1-cos2kx) 光强分布图(x坐标轴以十分之一波长为单位，纵坐标以Io为单 位)见图2。可以看出，波腹处的光强最大，波节处的光强最小。由式 (4)可知，为减小行波成分来形成纯驻波场，应选择反射系数非常高 (