磁场中生长砷化镓的阴极荧光形貌和低温阴极荧光光谱的研究.pdfVIP

!唑!!!曼：￡堕：j!塑 苎圭旦全里旦堡蔓堕兰查垒竖 磁场中生长砷化镓的阴极荧光形貌 与低温阴极荧光光谱的研究 李成基 李韫言 王万年 (中同科学院半导伟研究所 北京 100083) 七．引矿 虢j从熔体中生长砷化镓时，r}{于重力引起的热对流，往往在晶体中会产生杂质条纹而影响 材料的质量，在消除杂质条纹的措施中，除在窄问微重力运一理想条件外，在磁场中生长砷化 镓晶体已被证明是一个行之有效的方法，在观察杂质条纹的技术中，除传统的腐蚀法而外． 阴极荧光形貌技术则是非破坏性的研究杂质条纹及晶格缺陷豹一个非常有效fj勺丁具，再配台 阴极荧光光谱，则可以得到更多有关杂质与缺陷的信息。 二．实验 1．样品制备 样品是在磁场中直拉的纯度砷化镓晶体，．在轴向剖开切片，这样生长条纹就与样品表面垂 直．便于阴极荧光州察。按样品生长时的磁场尢小+从头到尾t：!J取四个样晶，它们扣应的 磁场强度为0：500：】000：15()()高斯。 2．胡极荧光测量装置 阴极荧光实验是在Js*80A扫描电了显微镜(s刚)．t进行的．用SE、,It的光学显微镜作 为荧光 足用波 温度分 测：§足 粜流一 ．| ，壤0弩 i，．i i．实验结果 、囊’‘ 1．M微荧光形貌． ．．。 ．，、、五 踪阴极荧光形辅豳，可【；【明显地看到随着磁筠强摩的I鼢峙杂质条纹逐渐削弱以豉消失． I到3足它们相应的线扫捕图，杂质条纹的起伏至少有一个数量级的减小。扫描象中的亮区 与暗区主要是杂质、缺陷及成力等的不均匀性所造成的。 2．明极荧光光潜 在斟4和图j叶1分别示}}{了6K下的阴极荧光光谱。它主要有两个峰．能量分聪为】5】5t、、= 和I l 的复合几率小变+则c／B的比值大体可以判定碳含量的相对变化。可以明丑地看到在弱磁 场下，C／B的比值很大．即碳含量高，而在强磁场下．C／B则变，j、，说叫磁场刘碳的含晕可 2000年10月·广西·北海 第七届全国固体薄膜学术会议 能有抑制作用。而在同一样品中，荧光象中豹亮区与暗区的碳含量亦不同。亮区与暗区中 c／B之差约12—18％，说明亮区的碳含量要比暗区的高，这一现象与砷化镓中荧光强度与杂 质含量呈正相关的现象是一致的。图6是按此方法所计算出的碳含量沿生长方向上的相对 分布。从另外一个角度，又可以看出，从头部(耔晶处)到尾部的碳含量是逐渐下降的． 也可能是碳在砷化镓中的分凝系数大于1所造成的。 法兰盘 铜样品台 I 蔽置 罔1．SEM用可微动低温样品架结构图 0高靳 j()()．南斯 ls00葛斯 图2．从a到d抒别为0：500：1000：1500高斯下崮、{杂质条纹的}l|1极克兜 生长的砷化镓的阴极荧光形貌阁