利用微波近场显微镜的研究薄膜微波表面电阻的空间分布.pdfVIP

利用微波近场显微镜研究遵膜微波蹇画鱼 阻的窒鼢奄： 冯一军，刘雷，刘庆国，尤立星，杨森祖，吴培亨 南京人。≯．LLf科学与1‘程系，南京，210093 摘要——本文介绍了我们设计年¨制造的一套同轴谐振腔型微波近场扫描显微镜，利 用该显微镜可以研究材料微波特性的空间分布，文章分析了微波近场扫描显微镜的空 间分辨率并研究了影响空间分辨率的网素。利用这套微波近场扫描显微镜，对金属薄 膜的微波袭面电阻的空问分布进行了测量。 近年米，高温超导微波无源器件的应用研究取得了可喜的成绩。商性能的超导微 波接收机前端已铍成功地IL}=|丁|无线通讯基站，性能优于半导体器件“】。高温超导薄膜 由于其结构复杂，微波性能受制符工艺和衬底材料影响．常常出现空间不均匀性，这 种不均匀性‘i薄膜上局域缺陷及制备成型r艺有关，会引起局域微波损耗增加、电磁 场穿透和非线性效应等不利影相o]。所以．无损检测大面积超导薄膜的微波特性，研 究影响局域微波性能的阅素，改善高温超导微波无源器件的性能，是高温超导微波器 件应用中的一个重要方面。 微波近场技术可以“¨j研究材料的微波特性，而且其空间分辨率由于采用近场技 术，可以夫人突破仪器经典分辨率的极限V2(≈为上作波长)，达到微米的范同，冈 而被用以研究、}导体、超导体、介质材料的岗域微波特性f3】。本文介绍了我们研制的 同轴谐振腔型微波近场显微镜．对其性能进行了详细的研究和分析，给出了采j_}|此显 微镜研究金属薄膜局域微波表厦电阻的结果。 二、微波近场显微镜的结构和原理 众所周妥lI，仪器分辨率的经典极限(classicallimit，Abbebarrier)为波睦的 ～半，即k／2。为了突破分辨瘁的经典极限，Synge在1928年就提出了微波近场显微镜 (microwaverlear—field andNichollS分别在 microscopy)的概念…。Soohoo。Ash 实验k实现，微波近场显微镜的概念，并获得了x／60的分辨率(si。近年来，微波近场 显微镜在探头结构设计、性能改善、和应用等方面都取得了报犬的进展”’…。 我们的微波近场显微镜，探头采BJh／4同轴谐振腔设计，如图一所示。同轴谐振 腔底面中心开一小孔，、㈡}为1-2毫米，中心导体F端呈针尖状，并伸出小孔形成探 头。谐振腔的泔振擞率为30Hz左右，无载晶质因数为1500。这种探头与目前常Hj的开 端同轴线探头相比；3i，有以F儿方面优点：1)同轴谐振腔具有较高的品质冈’r，可以 ur以人 有效地提高灵敏度。2)探头尖端处的辐射场很强，形成一个尖锐的局域场，l{|；E 大提高空间分辨率，义不牺牲灵敏度。3)谐振腔探头针尖端的辐射场强火_人高丁其他 阔家自然}：}学坫禽J9jfj j∞r 672 地方(如小孔处)的辐射场强，所以图象的分辨率主要扶定r针尖的儿何筹，构，而与 孔径无关。另外谐振腔底板可以有效地屏蔽背景噪音，提高谐振腔的品质冈f。 同轴谐振腔型微波近场显微镜系统框图如图一所示。当探头沿样品表面扫描时t 探头针尖处的辐射场与探针F样品相互作11j，从而影响谐振腔的品质因数Q年|l谐振频 率f，，探头既用来辐射检测场，同时又做为检测器。通过检测谐振腔的晶质旧fQ和 谐振频率f，可以反映针尖r面被测样品的局域微波特性。 图一微波近场显微镜系统框图 三、测量结果!j分析 (1)金属薄膜微波表面电阻的测鼙 对于金属薄膜样品，当其置于谐振脏探头的近场范隔内时，同辅渚振腔的鼎质因 数q值，会受探针下金属薄膜样品的表面电阻的影响而变化，通过改变探针的位置， 同时测量谐振腔Q值的变化，就可以获得金属薄膜表面电阻相对变化的图象。如果婴 得到表面电阻的绝对变化图象。需要采用已知表面电阻的样品进行定标。