GaInAsSb红外探测器的硫钝化与退火研究.pdfVIP

GaInAsSb红外探测器的硫钝化和退火研究‘ 黄文奎夏冠群周萍李志怀 (中国科学院』：海信息技术与徽系统研究所 上海200050) 摘要：暗电流和动态电阻是反映红讣探测嚣性能的重要参数，材料表面的处理可以很大程度上改 善探测器的性能．本文介绍r硫钝化和退火处理对于C龇AsSb红外探测嚣的暗电流特性的改善和动 态电阻的提高． 关键词：GalnAsSb探涮栽钝投遇火y risismncetwo infraved darkcur矗ntand We AbstractI The dynamic importantpafain蝴to can the ofdetectorInthis ofthesurfaceofmaterials treatmeats performance detectors．．The improve willbc anneal whichare and treatmentsofGalnAsSbmaterial article．twosurface sulphurpassivation bc the will introduced,and ofpcrformancereported． improvements detector anneal passivation Kcyword：GalnAsSb 一、引言 ， GalnAsSb是一种新型直接带隙的化合物半导体材料，可以和GaSb，InP材料晶格 匹配，工作波长为1．7—2．4“m，最大优点是可在室温下工作，成本低，便于应用，在 红外技术、低损耗光纤通信中有实用价值。但是，目前GalnAsSb材料的生长和处理工 艺还有待提高。用它制各的红外探测器性能上有很大缺陷，还不能满足低成本实用化的 要求【lI。主要缺点是暗I乜流较大，动态电阻较小。对材料进行表面处理，例如钝化，生 长抗反膜等表面处理的方法，是改善探溯器性能的一条重要而有效的途径。且成本低简 单易实现。我们实验室对硫化铵钝化f：艺进行了初步探索，发现器件的部分电学性能得 到了明显的改善口J。之后，义对器rl：进行了表面分析和退火试验，研究器件性能改善的 原理和稳定性。退火试验发现钝化效果稳定，而且电学性能有进一步改善。器件伏安特 性反向偏软的缺点得到了抑制，反偏雁下暗电流最大下降3个数量级。非常接近理想二 极管。暗电流的减小，使探测器的散粒噪声得到有效抑制，提高了器件的灵敏度。同时， 器件的动态电阻增大了2个数量级，提高了器件的探测率D’。 二、实验方法 我们实验用的OalnAsSb样品是用国产MBE—IV型设备制备的PIN结构材料。先在 掺杂P型GalnAsSb接触层。制作成PIN结构的二极管，其结构及参数如图l所示． 首先将硫化铵和水以l：4的比例配成硫化铵溶液。然后对器件进行常规化学清洗， 除套器f{：表面的污染物，再用去离子水清洗，放入50C的硫化铵溶液中浸泡一段时问后 取出，清洗，用氮气吹干，测试其伏安特性，重复以上步骤数次。然后在150C温度下 遐火，冷却至室温后，测试伏安特性。 ·陶家冉然科学基金瓷助项I|批HI：呼601760 ·511·