纳米TiO-%2c2-薄膜的导电性和带隙宽度的研究.pdfVIP

纳米Ti02薄膜的导电性与带隙宽度的研究 何志，顾广瑞，李英爱，殷红，赵永年 (吉林大学超硬材料国家重点实验室，吉林长春130023) 摘要；本文研究了蚋米Ti02薄膜的导电性与不同 体．分别在不同的基底材料(硅、钛和玻璃)上沉 的基底材料和不同的膜犀的关系“度带隙宽度与不 积了了大约12—120 同膜犀的关系．在磁控溅射反应嚣中，我们使用砸 和2帖140nm(Ti02，玻璃)不同膜厚的纳米砸02薄 靶，通八Ar和0，的混合气体．．咔备出了蚋米rio，膜。实验条件为： 薄膜．溅射是在常温下和总压力为I．2Pa的条件下进 靶 砸 行的，薄膜腱厚太妁12—159nm．在空气中我们测量 气压比 Ar：N2=95：5 了不同腱厚和不同基底材料的蚋米no薄膜的电阻 工作气压 1．2Ps 率，发现同一基底材料的电阻串．随着膜厚的增加 碾射功率 4，8W／cm2 而非线性的坩太．当达到一定厚