Bi-%2c4-Ti-%2c3-O-%2c12-陶瓷及其A与B位掺杂的介电研究.pdfVIP

7 筇7卷第6期 哈尔滨理J二大学学报 VolNo．6 I)2 2㈨2)㈨11022 文章编号I(107—26831 Bi。Ti，o，2陶瓷及其／4和B位掺杂的介电研究 姚阳阳， 柬春花， 包志豪， 朱劲松， 王业宁 (南京大学|古|体微结构物婵重点宾豫审，玎苏南京21(}093) 察到一损耗峰，通过氧处理和lq耗等相是实验手段，证实该峰(Pt峰)是与氧空位有是的弛豫峰．同时 观察该峰随不同掺杂类型的变化，分析了BTO陶瓷B位掺杂对铁电性的影响． 关键词：介电损耗；Bi4Tip．：及AIB位掺杂；弛豫峰 中图分类号：0487 文献标识码：A Dielectriconthe Bi4TisO．12 Ceramic Study Doped