航天微电子器件辐射效应的研究.pdfVIP

航天微电子器件辐射效应研究 王长河 信息产业部电子十三所河北石寒庄05005 摘要；奉文主蔓论述空阐自然辐射环境与人为辐射环境对航天矗中徽电子鼍件的掌响·分析了几种典翌-件的疆射效应及摄伤 帆理，提出提高徽电子嚣件抗辐射加圃的相应建径． 1、引言 岛从1957年第一颓人造地球卫星发射成功到现在已有45年．随着航天技术的飞速发 展，我国已研究成功一系列应用技术卫星；如通信卫星、气象卫曼、资源卫星 等，人造卫星通常在80～65000公里近地空间轨道动转，工作于卫星中的电子元器件将受 到空间辐射的损伤，严重时会造成卫星失效．在近地空闻辐射环境中，空问高能粒子可分 为：地球辐射带粒子、太阳宇宙线和银河宇宙线。地球辐射带的辐射粒子以电子和质子为 主，伴随少量Y粒子和重离子，其中内辐射带能量大于O．5Mcv的电子通量为lXl0。个 ／cm．S。太阳宇宙线主要是太阳黑子大耀班发射出的自光．主要成份是质子，大耀班发生 X109：F／cm2．银河宇宙线是由不同元素的离子组 时，能量大于30Mev的粒子积分通量为I 成，其能量极高(10～lOSMev)，但通羹很低，约l～4个／cm2．S．表l给出通信卫星内电 子元器件受辐射的剂量情况． 人为高空核爆生成的辐射环境可分为瞬时辐射和持续辐射．瞬时辐射时间通常在lo秒 以内，主要包括Y射线、X射线、中子及核电磁脉冲(NEjIP)．持续辐射主要是由于裂变产 物时放射性。被地磁场捕获并在其中运动的带电粒子流．其辐射危害时间很长(几十天到 几个月)。袭2给出高空核爆产生的瞬时辐射环境． 表1通信卫星内部电子元器件受辐射的剂量袭 卫星外壳相当的铝厚度 八年累计剂量 十年累计剂量 (mm) tad(Si) rad(Si) 0 1．0x100 1．3x10‘ O．5 1．3x10’ 1．7x107 1．0 3．5xlo‘ 4_3x106 1．5 1．8×10‘ 2．2x106 2．0 4．0x10’ 5．0xl矿 2．5 2．1x105 2．6xlO’ 5．3xlo． 0． 3．0 6．6Xl ·28· 表2 100公里高空，100万吨当量，距爆心5公里核辐射环境(瞬时) f y总剂量 y剂量率 中子总剂量 核电磁脉冲 I rad(Si) rad(Sj)／sec (n，cm2) (V，M) 『 1×lO。 1×10“ 1×10” 10 2、辐射效应物理机理 2．1位移效应 高能电子、中子、质子与半导体晶体发生碰撞对，部分原子会离开原来平衡位置，在 晶体中产生空格点与填隙原子，在晶体中形成辐射缺陷，从而会降低少子寿命，降低载流 子浓度，减少载流子迁移率． 2．2 y射线、X射线和带电粒子辐射半导体时，可使原子中的电子受到激发，产生电子一 空穴对，在P--N结反偏时．会产生光电流。 3、微电子器件辐射效应及抗辐射加固技术 3l双极型晶体管 在中子等高能粒子辐照后，晶体管基区的少子寿命显著降低，集电极本体的载流子浓 度下降。因此晶体管的电流放大系数h％下降，饱和压降vces增大。对于NPN|高速开关 管，高频功率管及PNP高速