ＥＣＲ++ｐｌａｓｍａ++ＣＶＤ法淀积非晶硅工艺地研究.pdfVIP

湖南·长沙 ECR CVD法淀积 plasma 非晶硅工艺的研究 谭满清 (中国科学院半导体研究所光电子器伴国家工程研究中心 北京100083) 摘要：结合ECRplasma吼1)法淀积器件介质光学膜的需要，对其淀积非晶硅的工艺进行了系 统的研究，并时淀积的硅膜进行了光学性质和其它的物理性质的研究。 关键词：ECRplasmaCVD法；非晶硅；透过率 电子回旋共振等离子体化学气相沉积法(简称ECR CVD法)淀积介质膜技术是近 plasma 年发展较快的应用于光电子件电学膜、光学膜、钝化膜工艺的新技术。ECRplasmaCVD法淀 积的介质膜的突出优点在于：膜的致密程度高，可以实现低温度淀积；而用ECR CVD plB．srlla 法淀积器件光学膜的突出优点在于：膜的折射率连续可调、折射率