质子在半导体器件中引起的单粒子效应的研究.pdfVIP

质子在半导体器件中引起的单粒子效应研究+ 刘杰侯明东张庆祥王志光孙友梅朱智勇金运范 (中国科学院近代物理研究所，兰州730000) 摘要 本文简略介绍高能质子在半导体芯片中引起单粒子效应的实验测量和理论 分析方法，包括核反应分析方法、半径验方法，介绍了质子和重离子翻转截 面间的关系，并用重离子实验数据预测器件在质子环境下的翻转率。 关键词：单粒子效应质子半导体器件 1．简介 在空间宇宙射线环境中，质子是最丰富的粒子，其次是原子序数小于26的各 种重离子，质子和重离子都能使卫星上的电子学器件和线路出现单粒子效应。在一 次太阳耀斑事件中，质子的强度要比来自银河宇宙射线的重离子高几个数量级。特 别是对于要穿过南大西洋磁异常区的卫星，质子的单粒子效应尤为显著，是威胁卫 年测量数据表明当卫星运行于南大西洋磁异常区域时芯片出现翻转的次数最多 [1】，推测是由于质子引起的单粒子翻转(SEU)所致，并发现太阳耀斑质子事件 能使翻转率显著增加。我国第一颗太阳同步轨道卫星“风云一号”在轨工作时多次 出现姿态不正常，与太阳质子事件和高纬度地区及南大西洋磁异常区的质子有关。 低地球轨道、太阳活动谷年，及不同屏蔽条件下质子流强随能量的分布，质子能量 范围从几MeV