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霍尔效应及磁场的测量 大学物理实验 实验目的 了解霍尔效应的基本原理，掌握用霍尔效应测量磁场的方法。 学习用对称测量法消除霍尔元件的副效应。 实验原理 霍尔元件副效应及消除 霍尔元件副效应及消除 实验操作要求 电磁铁气隙磁场沿水平方向的分布B－X图 测量励磁电流与霍尔电压的IM-VH关系曲线 A.将霍尔控制电流调至设定值: SH500型IH=9.00mA; SH500-A型IH=2.00mA IM-VH 关系曲线 注意事项 1. 励磁电流与霍尔电流的输入端不可接错; 作 业 作 业 讲义中思考题1、2 物理学实验教学示范中心 电磁学实验 物理学实验教学示范中心 电磁学实验 导体或半导体薄膜材料在外加电场作用下，载流子产生定向运动，运动的电荷在磁场中受到洛仑兹力作用使电荷产生横向的偏转，由于样品有边界，所以偏转的载流子将在边界积累起来，产生一个横向电场EH，这个现象称为霍尔效应，该电场称为霍尔电场。应用这种效应做成的传感器称为霍尔元件。 图1 霍尔效应 霍尔电势差的产生和确定 KH称为霍尔元件的灵敏度，是一个常数，单位为 FB FE ++++++ ------ B IH VH b 由上式可看出，若已知霍尔片的灵敏度KH，只需分别测出霍尔电流IH及霍尔电势差VH就可以算出磁场B的大小，这就是霍尔效应测磁场的基本原理。 *一般要求霍尔元件的灵敏度KH愈大愈好。KH与载流子浓度n成反比，半导体内载流子浓度远比金属载流子浓度小，所以都用半导体材料作为霍尔元件，KH与材料片厚d成反比,因此霍尔元件都做得很薄,一般只有0.2mm厚. 在实际测量过程中，还会伴随一些热磁副效应，它使所测得的电压不只是VH还会附加另外一些电压，给测量带来误差。 这些热磁效应有 1.埃廷斯豪森效应 2.能斯脱效应 3.里纪-勒杜克效应 4.不等位效应 埃廷斯豪森效应，是由于霍尔片两端有温度差，从而产生温差电动势VE，它与霍尔电流IH、磁场B方向有关。 能斯脱效应，是由于当热流通过霍尔片在其两侧会有电动势VN产生，只与磁场B和热流有关。 里纪-勒杜克效应,是当热流通过霍尔片时, 两侧会有温度差产生,从而又产生温差电动势VL,它同样与磁场B及热流有关. 不等位效应,是两侧的电极不在同一等势面上引起的，当IH通过电流端时，即使不加磁场也会有电势差V0产生，其方向随IH方向而改变。 这些负效应值的正负与电流和磁场的方向有关，采用电流和磁场换向的对称测量法，基本上就能把副效应的影响从测量结果中消除。 实验测量电路如左图所示,VAA电压测量双路恒流电源提供实验装置电源和显示霍尔电压的数值。左面的恒流源提供电磁铁提供励磁电流IM，右面的恒流源提供霍尔工作电流IH，中间的电压表显示霍尔电压VH的大小。 实验测量 图1 霍尔效应 *确定仪器的KH和IH，并记录下来，方可开始实验。 实 验 仪 器 实 验 仪 器 电源 电源 电源 SH500A型 SH500型 对称法消除负效应——换向开关 IM 霍尔元件 测量电磁铁间隙磁场沿水平方向的分布, 画出分布图(B-X图)(IM=600mA); A.将霍尔控制电流调至设定值， SH500型 IH=9.00mA; SH500-A型 IH=2.00mA； B. 测量单边水平方向磁场分布(0~20mm)，0~12mm每隔4mm测一点，13~20mm每隔1mm测一点； C. 每个点都应用对称测量法消除霍尔元件的副效应。 磁场沿水平方向的B~X分布 （IM=600mA） 19 B(T) VH(mV) V4(mV) V3(mV) V2(mV) V1(mV) 20 18 17 16 15 14 13 12 8 4 0 x (mm) 实验操作要求 B.励磁电流IM在0~200mA,800mA~1000mA范围内 每隔50mA测一点,200mA~800mA范围内每隔 200mA测一点; C.每个点都应用对称测量法消除霍尔元件的副效应. 实验操作要求 实验操作要求 VH(mV) V4(mV) V3(mV) V2(mV) V1(mV) IM(mA) IM-VH 关系 （位置在0mm处） 0 50 100 150 200 400 800 850 900 950 1000 2. 两种霍尔效应实验仪的工作电流不得超过: SH500型 IH10.00mA; SH500-A IH2.50mA. 3. 实验仪的换相开关需自己连接. 什么是霍尔效应？采用霍尔效应测量磁场时，需要测量哪些物理量？ 2. 如何判断材料的导电类型和磁场的极性？ 3. 如何判断霍尔元件的法向与磁场方向是否 一致，对结果有何影响？ *半导体材料有N型（电子