第六实验霍耳效应.docVIP

实验六 霍耳效应 一、实验目的 1、了解霍耳效应的原理及霍耳元件有关参数的含义及作用。 2、测绘霍耳元件的–、–曲线，了解霍耳电压与霍 耳元件控制电流、励磁电流之间的关系。 3、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。 二、实验仪器 ZKY—HS霍耳效应实验仪，ZKY—HC霍耳效应测试仪 三、实验原理 霍耳效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的积累，从而形成附加的横向电场。 如图所示，把一载流半导体板垂直于磁场放置，如果磁场垂直于导体板中电流，那么在导体中垂直于和的方向就会出现一定的电势差，这一现象叫做霍耳效应，叫做霍耳电势差（或霍耳电压）。 本实验用N型半导体（，宽为，厚为。沿Z轴正向加一磁场，沿Y轴正向通一工作电流，半导体中的载流子将在X方向受到一个洛仑兹力(如图中所示) 　（1） 式中e、分别是载流子的电量和平均漂移速度。载流子受力偏转在半导体的一侧堆积负电荷，在另一侧堆积正电荷，结果在X方向形成霍耳电势差，从而形成一个霍耳电场。由于霍耳电场对载流子的作用力总是与洛伦茨的方向相反，所以，当时，载流子的聚集就达到动态平衡，在半导体两侧形成以稳定的霍尔电场，形成稳定的霍尔电压。电场力的大小为 　（2） 设霍耳