铱对晶体生长作用地研究.pdfVIP

湖南·长沙 铱对晶体生长作用的研究 戴宏．周庆，欧晓梅，陈尔纲 (云南走学物理系，昆晴650091) 摘要：在研究锆钨热阴极的过程中，当锆中掺八元素铱后，观察到高场强下的阴极生长现象。 用X射线能谱仪对生长物、生长物基体的成份进行了分析，结果表明，铱对晶体的生长具有一 定程度的“激活”作用。 关键词：高场强；晶体；生长；催化 引 言 高场强下的晶体生长是指在低真空、一定温度下当阴极和阳极问加有较高电压时阴极或 阳极上产生的晶体生长现象Ll r2j。对这一现象的研究取得了许多实验结果，也提出了一些理 论模型试图较全面地解释这些结果”oJ，但到目前尚未揭开其真实面纱。因此诸如减小电子 枪栅(阳)极由于晶体生长而致的污染尚未有合适途径，利用阴极或阳极晶体生长获得单晶或 特别的物质也不可能有指导性的方法。目前，人们尽力通过实验寻求一些规律性的条件，以期 望在理论上获得进展。我们在进行锫钨热极的研制过程中“，当其中存在有物质铱时，观察 到阴极的晶体生长现象。x射线衍射分析的结果表明，生长的一些晶体是单晶物质。对生长 体、生长开始处及锆钨铱阴极表面用x射线能谱仪进行了成份分析，得到了铱在晶俸生长中 起一定催化激活作用的结论。 2阴极的晶体生长 三电投电子枪，栅极和阳极用不锈钢制戚，灯丝(阴极)用0．12ram直径的钨丝制成发叉彤，用 特殊的方法使其表面附着上一层氧化锆，利用锆逸出功小的特点可在1800‘K温度以下获得 较强的电子发射，从而提高电子枪的亮度。该实验已基本获得成功。在一次制作灯丝的过程 中，使用了一段浩有铱的钨丝，该锫钨铱阴极装入电子枪后，在阳压25kV下加热至1500～ 1700。K的温度范围时，昕到电子枪部位有放电声发出，重复几次亦有类似效应，取出灯丝观 察，发现尖端附近有形状大小不同的毛刺状生长物。图j是其中之一的=次电子像(标尺为 0．1ram)，生j圭形态勾条状。图2是长出晶体靠近顶部的x射线能谱图，其主要戚份为锆(铝 是样品支持台所致，下同)。 ——440—— 第十届全国电子束离予束光子束学术年会 尉l生长晶体的形筑 为确定生长物是单晶还是多晶，进行了I_ue背射X线衍射实验，获得了点状Laue斑的结 果，说明生长物中有单晶存在。 3成份分析结果 用X射线能谱仪对晶体生长起始处、未发生晶体生长的表面部分及生长晶体的成份进行 了分析，前二者谱图中所含元素类似，如图3所示，但错铱含量不同，表1列出了实测的有代表 性的脉冲计数值(含量)，其中锆为M。线的计数，铱为L。线的计数。生长晶体靠根部的生长 物含有少量的钨和铱，靠疆部则主要为锆(图2)。 。?_。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。?1。’。’。。。～—。。。一。。。 Z R ：j 一 滏一一 图2生长晶体顶部的成份 图3 晶体开始生长处的能谱图 k一 实际上，在有铱无锆的情况下显然不会发生含锫的晶体生长，而在无铱的情况下从扫描电 镜中使用话钨热阴极未观察到稽微显著的晶体生长情况来看，可以认为在低于锫熔点以下不 易产生锫生长。因此可以推测生长晶体的大小与锫／钨含量比有图4所示的关系。