Ｓｉ〈，３〉Ｏ〈，４〉基复合陶瓷材料断裂行为地研究.pdfVIP

Electr．Microsc．sof 电子显微学报J．Chin 1 66 18(Supp)：166～1671999年 Si。N。基复合陶瓷材料断裂行为的研究 剥、丽虹朱其芳 王瑞坤 沈惠珠张希顺 (北京有色金属研究总院，北京100088) 董利民张宝清 (清华大学．北京100084) 九十年代国内外研究制备了高性能的弥散有纳米级颗粒的陶瓷基复合材料“11。本课题是 用扫描电镜、透射电镜及努氏压痕法研究添加SiC的晶须、纳米颗粒及晶须和纳米颗粒的三种 Si。N。基复合陶瓷材料在外力的作用下的断裂行为。制备出三种复合陶瓷材料．一种为添加5％ SiC(n，w))。 样品表面经研磨和抛光制成金相磨面，用熔融的氢氧化钠腐蚀，然后放在喷镀仪中喷金。将 硬度仪的努i乇压头压在复合陶瓷材料上，在材料试验机上连续加载，使复合陶瓷材料表面形成明 显的裂纹，在JSM一840扫描电镜中观察裂纹的发展路径。用镊子在透射电镜样品上点压生成一 X射线能谱仪的JEM一2000FX分析电镜研究裂纹扩展特征。 个断裂裂纹。_L}j配备Voyager 转，SiC晶须断裂和拔山。而品须的增韧作用与它的分布及方向有密切的关系，当晶须分布不均 匀，晶须方向平行下裂纹扩展方向，晶须对裂纹扩展的阻碍作用不强，则达不到预期的增韧补强 目的。因此样品的断裂强度和断裂韧性比微米si3N。陶瓷材料还低。 可能会出现在微米siN。的晶界处，晶界处的纳米SiC在烧结的过程中集聚长大，形成约0．5～ 0．7Hm的SiC颗粒。研究结果表明纳米颗粒对陶瓷材料的朴强增韧作JH，是由于纳米颗粒分布在 si。N。晶内，对位错起钉扎作用，使位错很难发生滑移所致”]。同时在烧结的过程中纳米SiC可以 促进基体中的a 这种柱状晶可称为类晶须，当类晶须均匀地分布在基体中，具有类似于晶须的补强作用。因此在 这种样品的表面可以观察当裂纹尖端遇到聚集的纳米颗粒和si。N；类晶须时发生偏转、扭转和 晶须、siN。类晶须及聚集的纳米颗粒的断裂。裂纹传播方式以沿晶断裂为主．随着裂纹的扩展裂 最好的一种。 同补强增韧的作用。同时在试验中发现由于在复合陶瓷中添加了纳米颗粒，晶须在材料中的分布 较为均匀，未发现晶须分布的各向异性。在样品上观察到裂纹产生在压痕的尖端处，裂纹一般沿 晶界传播。当裂纹尖端迮【到聚集的纳米颗粒、类晶须和晶须时裂纹发生偏转(图la)，同时可观察 到si：，N。类晶须和聚集的纳米颗粒断裂(图lb)。随着裂纹的扩展，观察到裂纹分叉，偶尔可以发 基盘项目国家自然科学基金赞助项日 电子显微学报J．Chin．Electr．Microsc．Soc 1 167 18(Supp)：166～167999年 现裂纹尖端终止在聚集纳米颗粒或晶须的位置，然后在结合力比较小的其他颗粒上产生新的裂 纹。 图1 Si。N。(p)／SiC【n，W)样品裂纹扩展的二次电子罔像 a．裂纹在弥散的纳米颗粒处裂纹偏转，b．Si。N。类晶须和聚集的纳米颗粒断裂 纹扩展方向发生改变，当裂纹扩展遇到SiC晶粒和／或SiC晶须时也可能发生分叉和扭转。 在裂纹扩展方向遇到晶须、类晶须、聚集的纳米晶粒时，裂纹将发牛偏转、扭转、分叉，晶须、 类晶须、聚集的纳米晶粒断裂或拔出，消耗了裂纹的断裂能，抑制了主裂纹的扩展，导致材料断裂 强度和韧性的提高。因此在Si。N。基的复合陶瓷中添加SiC纳米颗粒和晶须，可以达到增韧补强 的作用。 参考文献 F1]江东亮，郭景坤．硅酸盐学报，1991．19(3)：258． [2]新原皓一．七尹i、7夕天．1990，25(1)：17． [3]新原皓一．粉体#土矿粉末冶金，1990，37(2)：348． [4]张国军，金宗哲．硅酸盐学报．1994，22(3)：359．