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第46卷化学专刊 武汉大学学报(自然科学版) I。。ue(I) Specl。l 2000年3月 J Wuhan-【Jniv.(Nat.Sci Ed.) M8r 2000.115~117 文章编号:0253—9888(2000)S1—0115—03 真空紫外光谱特性的研究 尤洪鹏1.洪广言1,曾小青1,吴雪艳1,金昌洪2,卞锺洪z,庾炳容2,裴贤淑。 (1.中国科学院长春应用化学研究所稀土化学与物理开放实验室,长春130022; 2.韩国科学技术研究所,韩国汉城136—791) 基质吸收于147 50~260 nm附近.EuH电荷迁移带位移238nm附近.Tb3+离子的4,.5d吸收位于lnm的区域内 相关数据表明,基质与稀土离子之间、Gd3+与Eu3+及Tb3+之间存在能量传递. 关键词:BaGdB…O:Re;稀土离子I光谱特性 中圈分类号:皿4820k, 一、 放入刚玉坩埚中,在高温炉内,升温至900℃,反应 12 0引言 h即可. B)检 X射线衍射仪(D/max—l 样品用Rigaku 近年来,随着大屏幕PDP和无汞荧光灯的发 测.样品的真空紫外激发光谱由自制的真空紫外光 展,新型高效真空紫外激发的荧光体(等离子荧光 谱仪测定,激发光谱由水杨酸钠校正.发射光谱由 HITACHI 体)引起了人们广泛兴趣.以往入们对稀土离子的发 MPF一4荧光分光光度计测得. 光已进行了大量的研究,这些研究主要集中在紫外 可见波段,对真空紫外区的光谱与能级缺乏足够的 2结果与讨论 认识.囤此研究稀土离子在真空紫外区的光谱与能 级,不仅能更深入了解稀土离子的本征特性,而且能 2.1 Eu”的VUV激发与发射光谱 够发现新型高效发光材料. Vuv激发光谱示于图1,由图1可见,其激发 BaGdB。O、。:Re的紫外可见区的光谱特性已 谱主要由3个激发带构成,它们分别位于100~175 有报道“。],而真空紫外光谱特性尚未见报道,为此, 75~280 nm,I ilm和275nm附近.其真空紫外激发 t z 我们合成了BaGdB90,。;Re(Re—Eu,Tb)荧光 Eu中, 光谱与YBOaEu的类似口].而在YB03 体,首次研究了BaGdB。016.Re(Re=Eu,

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