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2X64元双色红外焦平面探测器的研究
张难强
(华北光电五卡研究所,北京,t0001i)
能。对存在的主要问题进行J。蚕l-t.指Ⅲ丁改^兰了同。
一. 剐吾
陛:洚。该苴昌的最终目ri‘t壬研宣以苎j一面型FF、坟Kj谴提供:×128元探测器使用。
呈.箝冒夕、三经二-制刿:一.,5
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1、128元多}!_}}污输器袍【j.s;)线。盲}1取.:。署趣斋K波范i,舌酋对亭波辐射敏感,
与C-jOS#路悖偷器』.蔓百是:#簟,’,jI|菩三一:,10‘c:nltz
的信息、,有必要开展更大“睽箱双邑FP.;嚣伴研宄,
i。,2谣探测器_莩。未,粟q
经过一年响研究,己获得!×64
um波段的响应,,ICT6ti元线州器r}:对、-.二-m波段敏感。采』H
瓦加澉氮致冷。经融试.3一j4mj牡{箕。嚣雉位探洲率芷=到?、l
i l×tO~7w,8一12Km波段臻;驯器的峰曼琛洲率返到_j
×IO’VjW。
二.结构设计
芒E结陶设计上,综合考也了
当前的技术水平和条限选择了
底窗金属杜瓦.宝石框桨,64元
线列中.长波探测器芯片,进口
C,),IOS多路传输器。目l为冷头
结构示意图,由了采用金届杜丸
加液氮敦冷,冷头的热负载承受
能力较大.这给结构设计带*∈了
方便,但在框架的设计甲仍需考
虑如下问题:
u
McT光伏线列,光敏面积50reX25pⅢ.光敏面中心间距100uⅢ,与多路传输器之间
64
严
um.
25-m金丝对焊.两列探测器光敏面之间的距离200
三.工艺研究
在获得了具有一定!生能的中 长波探测器芯片后,工艺中重点进行了低损伤划片与高j
彦蔷前准工艺实验。庄以往的探嬲器研制早.勾了保汪划片不对探测器韵光敏元造成损伤{
pm由于双笆器件是采用两种不同{
胡其性能,通常划片线与光敏面二二闽的距离均犬于500
翁芯片拼接而成,为了满足整机扫描使‘目要求并考感到两种芯片的拼接对准问题t需要相茹
交元较近距离的划片,以使两个波段的光敏元l葡距较小。为了确定划片对光敏元的损伤程层
进行了一系列划片工艺试验,试验方法如下:划片前在砥温探针下测量每个光敏元的V-I鹳
曲线并记录F开路电压和反向漏电流,划片后再重复此步骤.比较并统计出性能下降的光《
.比洌。试验结果表明,光敏元性能的损伤与划片间距、进刀速度等参数有关,目前初步确i
p
工艺数据可以保l正当划片线距离光敏面?5m时,性能下降的光敏元比例不超过5%。
划片后的拼接主要采用了冗名框架上设计出对准标记,然后结合测量显微镜进行拼接目
法。拼接后j{j金丝将光敏元与多罡;々传输器 对焊,装入液氮让瓦测试。
四测试结果与讨沦
测试时,驱动电路采用双色并行驱动J‘作,中波和长波备64元探测器串行读出,并在{
进行信号合成和预处理,输出为合成后的模拟信号。在驱动电路的设计中,针对双色器件盘:
辣性,专门设计了针对两种不同材料及不同结型(1nSb为PN结,MCT为NP结)的驱动屯
盔蹬计中解决了如下问题:
双色探测器的脉冲驱动及相互之间的相位关系;
b.般色搽测器的工作电流提供及相互之间的去耦:
c般色探测器的偏置电压的选择及偏置电流的提供。
测试时驱动电路的一【:作参数见表l。测量结果见表2。
表I驱动电路工作参敷表
\.E作参数 行周j{}{ 祝分 !沤动电平 每位读 输出 偏置
器件类童\ 时间 出速率 元数 电平
。 臣波探测器
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