MM-HEMT材料的分子束外延生长的研究.pdfVIP

一差查墨垒璺堕堡莲基芏查全垫煎塞塞 §! 吴文，曾一平，潘量，刘荣寰，孔梅影 中科院半导体研究所材料科学中心北京912信箱 邮编：100083 材料。对应于p-HEMT(Pseudomorphic HEMT， 8％的晶格失配，在衬底上生长 简称／vim．HEMT。为了克服衬底和器件结构层之间高达3 层的质量有着至关重要的影响。 关键词： 分子束外延，HEM『r，变组分缓冲层 日本的Mi凹耐”等人运甩调制掺杂技术哿f制出第一只MGaAs，GaAsHEMT以来， HEMT器件得到了迅猛的发展。从材料结构来看，由最初的GaAs衬底上晶格匹配的n． Pscudomorphic 52AJ04sAs／ 高IlI组分大失配的FIEMT(称为MM．}砸MT)。 点，它被公认为最适用于毫米波段高端的低噪声器件之一。但是InP基HEMT也有缺点： 系统。制各该结构的难点在于如何长好变组分缓冲屡。缓冲层内组分通常以线性或台阶方 式变化。经过一系列实验，我们发现衬底温度对缓冲层的质量具有决定性的影响。制各最 表明，不管是采用线性变组分的缓冲层还是采用台阶式变组分的缓冲层，制备的MM-HEMT 材料的室温迁移率均徘徊在z,ooo cm2，v‘s。这表明界面粗糙使得界面散射在散射机制中占丁相当多的份额。但是，当我们 将衬底温度设定在400C生长变组分缓冲层时，获得的材料的室温迁移率一下子提高到 12 差查墨全璺垦生莲壁堂垄金丛遣塞鑫 cm．2，而且771(下的迁移率也提高至2t，700 cm2～·s，对应电子面密度为1．3×1012 6,350 cm2Ⅳ．s。这说明沟道层两偎{}异质结界面的平整度得到了提高，界面散射大大减弱a该样 品采用线性变组分方式。 6-dopinglayer ImGal4As(x：0～0．53) buyer graded compositional]y buffer GaA5 S1．GnssubsUate 图1 MM．旺MT结构示意图 我们认为迂移率大幅度提高的原因是降低村底温度之后，变组分缓冲层的生长模式由 三维岛状模式变为二维层状生长模式，与此对应，应变弛豫机制由表面粗糙化机制变为MFR 垒正比于￡一，c为失配度；丽位错以MFR机制形核的热激活势垒一般正比于c～。对于 线性变组分缓冲层，失配度￡1114,，因而如果衬底温度没有高到一定程度的话，只有MFR 机制被激活，不会出现表面粗糙化过程。根据Mooncy的理论14】，在这种情形下，外延层 内的穿透位错能够湮灭，从而大大降低穿透位错的密度。但如果衬底温度高出某一限度，表 面粗糙化机制被激活，在外延层内将出现大量的穿透位错。我们对制各的样品拍摄了x． TEM显微照片，在迁移率很低的样品中可以看到极多的穿透位错(图2．a)：而迁移率高的 样品在视域内只有两条位错线(图2．b)。这些结果同上面所引文献的理论是一致的。另外， 我们注意到当衬底温度较高时，变组分缓冲层在生长一段时间后RI-1EED衍射图样由条状变 为点状：而当衬底温度较低时，缓冲层生长的整个过程中RHEED衍射图样一直呈条状。 作者感谢中科院材料开放实验室吴臣老师在透射电镜制样方蕊的帮助。 釜盍墨全璺里堡整鏖生垄金垫堡盎塞 一——————竖一 ‘ · Vj