掺锡C60薄膜材料的电子结构和电导性研究.pdfVIP

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2017-08-14 发布于安徽
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掺锡C60薄膜材料的电子结构和电导性研究.pdf

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掺锡C60薄膜材料的电子结构与电导性研究+ 伍春燕张海燕何艳阳朱燕娟陈易明梁远博 FAX：020 TEL：0206676， (广东工业大学应用物理系广州510090 E-Mai 1：mpcyjs目gdut．edu．cn) 摘要本文报道了锡掺杂C60薄膜样品的扫描电镜，x射线，紫外可见光吸收和电阻的测量结果，显示薄膜为蚋米级颗粒组成，掺锡前后基本结构不变；掺锡后紫外可见光吸收的两个短波段吸收峰显著下降，且三个峰位都有微小红移；电阻随温度增加而呈指数衰减，呈半导体型，霍尔效应证实为H型半导体．关键词锡掺杂紫外可见光吸收电阻 C60[BINFILMS AND SN-DoPED STRUCTURECoNDUCTI、，11rYoF chcnYuanboLiang Zhu,Yiming ChtmyanWll，Haiy∞Zhang，YⅫyangHe，Yahjuan DepartmentofPhysics，GuangdongUniversityofTechnology,Ql朋g吐I∞510090，People’S ofChina Kepublic Abs订act Inthis our of electron article，Wb m∞su∞results diffraction, report Scanningmicroscope，X-ray thin thin UV C60 fdm．The shOWthatthe and for results ordoatabsorpfionresistivitySn-doped in ago there structural the filmsformed mo is110 change of吐I可螂inmagnitude，andapparent atroom in withthatofthe film．皿etwo Sn-doped temperature undoped samples cemparison in short of havea decline wave UV absorptionpeaks optical respective range absorptionapparent