Sol-Gel法制备In-%2c2-O-%2c3-纳米晶与其掺杂行为的研究.pdfVIP

Sol-Gel法制备In：03纳米晶及其掺杂行为的研究 张爽1，陈丽华1，赵志勇1，辛奇2，朱霞光3，全宝吉- (吉林大学电子工程系．吉林长春130023；2．吉林华皇电子集团有限公司．吉林吉林132011 3．长春客车广吉林长春t30000) 搞要t奉文采用溶肢-凝肢法制备了ln，03蚋米晶 将体材料，用m方法时材料进行了分析和表枉．在 3实验结果及讨论 其中掺八一定比饲降阻卉JSn02，然后分剐掺八不 3．1材料的分析及襄征 同出例的Zr02、Eu20，、G啦吼等掺杂荆刺成蜣结 式元件，掺杂58t％Eu，0，的元件时乙醇具有较高的 实验中我们用红外光谱分析仪对糊得的材料进 行了分析．结果如图l所示． 灵敏度和选择性． 关键词：氧化铟；纳来晶：乙醇{气杖元件 1引言 IrI：q作为～种新型的敏感材料．以其较高的灵 敏度和选择性日益}f起人们的重视H“。本文通过对 材料结构和性质的分析及掺杂的大量实验发现地q 对乙醇表现出良好的夏敏度和选择性·掺A适量的 SnO，能有效降低元件电导率．掺入适量的Z102、 Eu：O，、G0203等掺杂刑能够明显地提高元件的灵敏 度和选择性· 田1纯ln，03j分体的IR谱圈 2实验 图1表现出典塑的无机氧化物材料的吸收光谱 特征．在220--6]0cm1的波数范圉出现了沁o，的特 征吸收峰．表明实验中得到材料的组分确为In：O，a 2．1材料的制鲁殛表征 在材料中按不同原子比掺入了SnO：，发现不同 本实验采用溶胶壤胶法制备III：嘎纳米晶材料- 烧结激下制得的元件电阻不同，如图2所示。 称取一定量的高纯金属hI溶于适量的hNO，溶棱 中．再加入toe．t％的柠檬酸作分散荆，室沮下用氨 水滴定得到白色沉淀。将沉淀用去离子永离心洗涤 后，用冰乙酸回溶．加入适量PEG，然后烘千研磨均 匀．850℃下焙烧21l。研磨后就得到I^0，粉体· 实验中用m方法对本体材料进行表征． 2,2元件的制作琵测试 本实验中采用烧结法制作旁热式气敏元件．称 取适量In：O，耪体，按一定比倒加入翱q糟体捌成 基件材料t再按不同的原子百分比分94掺入Zr02， Eup3、Gop，等掺杂剂和1wt％的酸洗石棉作为黏 台剂．制成旁热式气敏元件．用RQ-I型气敏特性测 T椭m～nrC 试仪对上面做好的元件进行测试。 囤2掺杂对h籼材料电阻的影响 。缃奠$蝌，簟刊·2001·10 } } i { 一 一————■—r————————————————。。i， 结果表明在In20，材料中掺入4w／of拘sn02能大 使材料电阻升高，导璃元件的灵敏度下降。 大降低材料的电阻。井且掺入轴02