NASICON固体电解质材料的溶胶-凝胶合成和CO-%2c2-敏感器件研究.pdfVIP

第15卷第4期 郑州轻工业学院学报(自然科学版) V01．15No．4 2000年12月 Sd=r埘 Dec．2000 1 0011—03 文Slttll4：1004—1478(20。o)04 ·气体传麝■研究· NASICON固体电解质材料的溶胶一凝胶合成 与C0。敏感器件研究 邱法斌“2， 全宝富1， 向思清1， 程刚1， 孙良彦1 (1．吉林大学电子工程秉，吉林长春130023’ 2．中国科学琬长春光学精密机械与物理研究所，吉林长春130022) 摘要：以常规试剂为原料，采用溶胶一凝胶法合成了NASICON固体电解质材料，并以访合成材 料为基础，制誊了小型田体电解质型COz传意嚣．测试表明，所制备的嚣件辟CO。气体表现出 盘好的蛾性教意特性、快速的响应恢复和较强的抗干扰能力． 关■词：=氧化碳；传毒；}气教器件；溶肢一凝腱法；固体电解质 中圈分类号：TP212．2× 文献标识码：A 0引言 感嚣件的研究得到了许多学者的重视D]． 本文拟探讨以常规无机试剂和古硅有机试剂为原料，采用溶胶一凝胶法台成NASICON材料，并以该合 成材料为基础，制备小型固体电解质型CO。传感器，并对其结构与性能进行研究． 1实验 1．1材料合成与裹征 析纯．合成中，按照Na 单一溶藏混台在一起，形成均匀透明的混和溶液，然后再加人化学计量比的正硅酸乙醇的乙醇溶液，并用氨 水调至合适的pH值，从而得到目的产物的溶胶{继而在50℃下加热搅拌，直至形成凝胶．凝胶经90℃干燥 后，在800℃～1100℃下，焙烧得到目的产物，材料结构表征所用手段为XRD和IR． 1．2 Co：tt■件的结构与测试 mmxl mm×2 成致密的4．5 mm的长方形基片，然后采用丝网印刷的方法在片体的两面分别翻备出金敏 收冀日期{2000—07一lO 作者■彳r：耳法斌(1968--)．再，黑龙江崔牡丹江市人，吉林太学剐麓授，主要从事气湿羲传惠薯研宛 ·12· 零捌轾工业学臃学报(目赫科学版) 2000芷 固定在备有小型加热嚣的基座上，经老化成为备测 元件．嚣件测试采用动态配气系统，CO：样气由纯净 的c0：气体经人造空气(Nt+O：)稀释而成，器件输 出电势E用DT一830基敷字万用裘蔫量． 2结果与讨论 ：一。呼t 2．1 NASIcON材科的XRD和IR分析 圈2为鬟胶分别经800℃，900℃，1000℃， 1100℃烧结6h后的XRD衍射结果．从图2可以看 ■体赦果圈 出，材料经800℃，6h烧结以后，已分别在27。～28。， 图1 CO：敏感元件结构田 34。附近，53。～54。处出现了尖锐的(024)，(018)， (137)衍射峰，表明在这一烧结温度条件下，已获得了三方结构的NASICON固体电解质材料．从图2还可以 已由三方结构转变成单辩结构．可见，与传统的高温圊相反应j击相比，NASICON圊体电解质材料的焙烧温 度和周期都可以明显藏小Ⅲ． cm-1～600 田3为不同誊度烧结后所获得材料的红外吸收光谱．其中500 cm_1之间的中强吸收谱带为 cm。～1200 cm_1～700 S．o．的弯曲振动，900 cm_1之间的强吸收带是PO．的伸缩振动，450 cm。之间的中 cm-1～900 强吸收带为PO。的弯曲振动．此外，在700 cm-1范围内没有吸收峰存在，整个红外