InP%3aFe光导开关地研究.pdfVIP

● 第10届垒国棱电子学与棱探测技术学术年会论文集 ICat‰al the’oIIl Pf帽棚唯of InP：Fe光导开关的研究 王晓双，划仁和 (中钧院电子工程研究所，缩陌621900) ■蔓·近年来化舍铀半导体材料Gt^-，hP辱在光电子学曩壤构应用研究己经取得了程大进晨．采用遗 璧材*席研■柏光导开关，光电导探嗣器具有体积小、性麓可靠、制造工艺简单等优点．所研■的光导开关采 用IRPIFe材#．舟蛔了这种先辱开关曲工怍熏理及其捌作芏艺，并且培出了实验结果． 关■谭t_一·hI光导井美l眭姆攮麓I中早辐晨 O引言 我们知道，光导嚣件是利用半导体在入射光下变成导体的特性制成的器件．光导嚣件一直 使用膏阻半导体来搓行请蒯t它们的遗度傲慧干先生羹虎子的复合．羹流亭的嵌建衰减是通过 杂质掺杂或者辐射损伤有意在半导体晶体内造成陷群和复合中心获得的．它们的电流响应是 同入射辐童猿度成正比．器件是用大块半导体晶体树作的，通过晶体内载漉子的快速衰减达到 ps响应_． I咿；Fe光导开关工作在室温下．具有高速(loo一)、体积小(～m一‘动态范墨大C4 十量级)t缱佳-啦-膏屯辩橱出(达到IOOA)辱优点．高速光导开关制作衡单．成本氍廉，可靠 性好．因此它们可用于各种信号处理过程，混合以及同步探贳、攮致转换、赫冲谭艚辱． 1器件原理 光导器件是用电阻率lOnG·m的半绝缘 InP=Fe晶体材怍荷成的．在任何偏压下它们都有较 低的靖电瘫和足够大的激活体积．当光脉冲注入到 搽测嚣上时。产生的自由电子和空穴在电极之何形 成一条连缓的导电路径．晶体中的电子空穴数茸与 田l光导开关鲭柯示誊圉 注入的光脉冲强度成正比．因此。器件的电导率也和注入的辐射疑度成正比．大块晶体中薮流 ● 子密度随光脉冲蠢量空话的速率．也就是光导开关的响应蘧虞．是由晶体中多数载流子的衰藏 央定的．而蕞蠢子的囊雌是由光脉冲引发的茸由麓瘴子的堆阱和复合引起的． InP=Fe光导开关舶基本结扮如图1所示．它是由—块高电阻率的InP。Fe材料、敦带线及 电撅组成．在晶体块上作一条问断徽带线，间晾部分即为工作区．其余部分用绝缘薄旗蠢蘸起 来，以减小膏电流． 器件工作时t加上直流偏压K，激光入射到工作区时，产生光生载流子，使电阻率减小。由 口高电阻(几千欧到百兆欧)急剧变化为低电阻(几百默到几百毫欧)，徽带线几乎被导通，光脉冲 过去后．光生载瘟子很快复合．微带线中断，在输出端获得随激光脉冲变化的电脉冲． 128 臻-；．{主#女 电匪率^变化，可由下式确定t ro=加￡￡Ⅳj／2eE‘届一o．58矾／舰Eo (1) 式中t膏为蕾朗克常敦Ip为激光频率l。为电子电荷t，工为光导开关问晾长度jVo为井加 偏压I％为载蠹子饱和速度IE。为吸收光能量I^为激光波长． 输出脉冲陌度t E=nZ．／(zo+z．+，．) (2) z．为电源内阻． z．为负载阻抗I 选用的材料包括I丑P-Fe单晶体-N强．晶向IQO，位话密度5Xl世∞一，电阻率， Ni一 20minX：19ramXl·5mm． ． 2．2蒸发 蒸发的目的棘是使金虞和InP，Fe材料表面形成良好的欧姆接触电极．攫嚣件加上蕾压 能正常工作．金屠和半导体接触时可产生整流接触和欧姆接触．当金属淀积在半导体表面对