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4结论 J J．J Fat
增强吸杂外延片背面多晶硅因其晶界和 Abl蛐，1981。81(1)：800
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C，Siivaan Soc
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J．J日∞曲∞hem Abl∞h．
层中的缺陷对金属杂质起吸除作用，同时也
1981，81(1)：830
促进了硅片体内氧沉淀的生长，起内吸除作
4金蕾宣．事宏扬主壕．VI岛工艺技术——超大规模集
用，即形成增强吸除效能。 成电路工艺技术．‘半导体技术’缩辑部出版。
实验表明。增强吸除作用可以维持到 l鳃5．195
5金蕾宣，李宏扬主编．VI．SI
CMOS电路前工序加工结束。 T艺技术——超大规模集
成电路工艺技术．‘半导体技术tit辑部出版。
参考文献 1985．加5． r。_
1 HuSM．IJSP虹眦4053
335．mM，Oct．儿．1997
刊蚪．I20扎 125mmS—iH2—C12
缝鳓j研寒
晶为主
肖建农 陈郁文’秦 舒等
(中四年晶电子集田公司硅材井工厂，无每2I习嘶l ，
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摘要 高性能的模拟集成电路需要高质量的外延片，本文研究了在0125mm
硅衬底片上，使用SiH2Q2进行外延的工艺技术。重点解决了外延层均匀性问题．
-
一
该项技术已成功地应用于公司的彩电单片机及大屏幕彩电用集成电路的生产中。
1前育 (2)外延层电阻率均匀性
为了适应电子产业飞速发展的形势，提 片内均匀性≤±5％。
高我国国有企业集成电路生产的水平，我公 2．2实验条件
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